产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)(4)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3(11)
TO-261-4,TO-261AA(8)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(11)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(2)
TO-220-3(2)
TO-220-3 整包(3)
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)(1)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6(1)
SC-96(1)
6-WDFN 裸露焊盘(1)
8-PowerWDFN(8)
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA(7)
TO-251-3 短截引线,IPak(2)
3-WDSON(1)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(2)
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STMicroelectronics(5)
Fairchild/ON Semiconductor(19)
On Semiconductor(9)
Nexperia USA Inc.(4)
Rohm Semiconductor(3)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(12)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(6)
Taiwan Semiconductor Corporation(6)
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表面贴装(49)
通孔(16)
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-(1)
-55°C ~ 150°C(TJ)(45)
-65°C ~ 150°C(TJ)(1)
-55°C ~ 175°C(TJ)(7)
150°C(TJ)(8)
-40°C ~ 150°C(TJ)(1)
-50°C ~ 150°C(TJ)(2)
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-(24)
STripFET?? II(1)
SuperMESH3??(3)
汽车级,AEC-Q101(3)
TrenchMOS??(1)
PowerTrench?(5)
QFET?(6)
UniFET??(7)
aMOS??(8)
CoolMOS??(1)
SIPMOS?(2)
OptiMOS??(1)
CoolMOS? CE(2)
MDmesh? M6(1)
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剪切带(CT) (30)
带卷(TR) (17)
管件 (15)
-Reel? (2)
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在售(49)
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过期(13)
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8-SO(1)
SOT-223(7)
D-Pak(6)
TO-220-3(1)
TO-220(1)
TO-236AB(SOT23)(2)
SST3(1)
TO-92-3(1)
SOT-23-3L(1)
SuperSOT?-6(1)
SMT3(1)
TSMT3(1)
TO-252,(D-Pak)(2)
8-SOP(3)
SOT-223-4(1)
8-WDFN(3.3x3.3)(6)
8-MLP(3.3x3.3)(2)
D-PAK(TO-252AA)(1)
D2PAK(TO-263AB)(1)
TO-220F(2)
I-Pak(4)
TO-263(D2Pak)(1)
3-CPH(3)
PG-SC-59(2)
6-DFN-EP(2x2)(1)
PG-TO252-3(1)
IPAK(TO-251)(1)
TO-251A(1)
MG-WDSON-2,CanPAK M?(1)
TO-262(1)
TO-220-3F(1)
PG-TO251-3(1)
TO-251-3(1)
TO-236AB(1)
PG-TO251(1)
MP-3A(1)
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MOSFET(金属氧化物)(65)
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±30V(30)
±20V(33)
±25V(1)
±8V(1)
重新选择
6nC @ 10V(65)
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630 毫欧 @ 1A,10V(1)
11.5 欧姆 @ 500mA,10V(3)
3.8 欧姆 @ 500mA,10V(3)
240 毫欧 @ 1.3A,10V(1)
1 欧姆 @ 300mA,10V(2)
1.1 欧姆 @ 2.2A,10V(3)
3.4 欧姆 @ 1A,10V(4)
900 毫欧 @ 2A,10V(8)
100 毫欧 @ 2.2A,10V(1)
56 毫欧 @ 4A,10V(1)
104 毫欧 @ 4.2A,10V(1)
250 毫欧 @ 1A,10V(3)
2 欧姆 @ 600mA,13V(3)
73 毫欧 @ 2.8A, 4.5V(1)
21.6 欧姆 @ 150mA,10V(3)
260 毫欧 @ 3A,10V(4)
800 毫欧 @ 620mA,10V(2)
3.3? @ 1A, 10V(1)
800 毫欧 @ 500mA,10V(1)
103 毫欧 @ 3.3A,10V(2)
144 毫欧 @ 2.3A,10V(1)
75 毫欧 @ 2.7A,10V(1)
37 毫欧 @ 3.5A,10V(1)
155 毫欧 @ 3.5A,10V(3)
1.5 欧姆 @ 1.75A,10V(1)
26.5 毫欧 @ 10A,10V(2)
2.9 欧姆 @ 1.5A,10V(1)
45 毫欧 @ 8A,10V(1)
11.5 欧姆 @ 600mA,10V(2)
11.5 欧姆 @ 450mA,10V(2)
700 毫欧 @ 900mA,10V(1)
108 毫欧 @ 3A,10V(1)
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10V(32)
4.5V,10V(22)
1.8V,4.5V(1)
13V(3)
4V,10V(5)
6V,10V(1)
7V,10V(1)
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N 沟道(51)
P 沟道(14)
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2.4A(Tc)(3)
1A(Tc)(4)
2A(Tc)(5)
3.5A(Tc)(1)
4A(Tc)(8)
300mA(Ta)(5)
1A(Ta)(2)
3A(Ta)(2)
1.8A(Ta)(3)
3.5A(Ta)(4)
4A(Ta)(1)
1.5A(Ta)(1)
3.2A(Ta)(1)
2.7A(Ta)(1)
2.8A(Ta)(1)
4.4A(Tc)(3)
2.4A(Ta)(4)
2.3A(Ta)(1)
1.8A(Tc)(1)
600mA(Tc)(2)
900mA(Tc)(2)
4.2A(Ta),5.5A(Tc)(1)
1.2A(Tc)(2)
620mA(Ta)(2)
3.3A(Ta),7.5A(Tc)(2)
7.82A(Ta),20A(Tc)(2)
5A(Ta),15A(Tc)(1)
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100pF @ 50V(2)
150pF @ 25V(10)
540pF @ 30V(3)
250pF @ 25V(7)
200pF @ 25V(3)
450pF @ 20V(1)
310pF @ 50V(2)
225pF @ 25V(4)
263pF @ 100V(8)
33pF @ 10V(2)
165pF @ 25V(1)
285pF @ 50V(1)
124pF @ 100V(3)
291pF @ 10V(1)
250pF @ 20V(1)
176pF @ 25V(2)
299pF @ 15V(1)
139pF @ 100V(1)
105pF @ 25V(1)
345pF @ 75V(1)
160pF @ 20V(1)
250pF @ 15V(1)
262pF @ 20V(3)
150pF @ 100V(1)
327pF @ 25V(2)
390pF @ 37.5V(1)
180pF @ 15V(1)
重新选择
-(63)
肖特基二极管(隔离式)(1)
肖特基二极管(体)(1)
重新选择
-(2)
4.5V @ 50μA(3)
4V @ 250μA(2)
2.5V @ 250μA(7)
1V @ 250μA(4)
5V @ 250μA(18)
2.8V @ 1mA(1)
2.5V @ 1mA(3)
3V @ 250μA(1)
2.9V @ 250μA(2)
2.2V @ 250μA(4)
2.3V @ 250μA(1)
4.1V @ 250μA(8)
2.6V @ 1mA(2)
2V @ 160μA(2)
3.5V @ 50μA(3)
3.75V @ 250μA(1)
3.5V @ 8μA(1)
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45W(Tc)(1)
33W(Tc)(2)
2.5W(Tc)(1)
35W(Tc)(1)
40W(Tc)(1)
200mW(Ta)(2)
500mW(Ta)(2)
1.4W(Ta)(1)
1W(Ta)(3)
1.5W(Ta)(1)
490mW(Ta)(1)
1.6W(Ta)(2)
3W(Tc)(1)
3.1W(Ta),29W(Tc)(1)
2W(Tc)(1)
3.1W(Ta)(1)
3W(Ta)(4)
56.8W(Tc)(3)
50W(Tc)(3)
2.1W(Tc)(3)
30W(Tc)(4)
83W(Tc)(3)
25W(Tc)(1)
480mW(Ta), 6.25W(Tc)(1)
1.2W(Ta)(1)
2.5W(Ta),30W(Tc)(3)
27W(Tc)(1)
21W(Tc)(2)
31W(Tc)(1)
22W(Tc)(1)
3W(Ta),18W(Tc)(4)
2.3W(Ta),19W(Tc)(2)
490mW(Ta), 6.25W(Tc)(1)
3W(Ta),20W(Tc)(2)
8.3W(Tc)(1)
2.2W(Ta), 18W(Tc)(1)
3.13W(Ta),40W(Tc)(1)
重新选择
150V(1)
20V(1)
75V(1)
100V(6)
40V(2)
30V(4)
60V(16)
450V(3)
250V(3)
600V(15)
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800V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3442
仓库库存编号:
785-1461-1-ND
别名:785-1461-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Tc) 3W(Ta) SOT-223
型号:
STN3N45K3
仓库库存编号:
497-10649-1-ND
别名:497-10649-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 40V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.5A(Ta) 480mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV250EPEAR
仓库库存编号:
1727-2303-1-ND
别名:1727-2303-1
568-12589-1
568-12589-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
型号:
FDD6N25TM
仓库库存编号:
FDD6N25TMCT-ND
别名:FDD6N25TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 2W(Tc) SOT-223-4
型号:
FDT3N40TF
仓库库存编号:
FDT3N40TFCT-ND
别名:FDT3N40TFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 56.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4S60
仓库库存编号:
785-1265-1-ND
别名:785-1265-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
FDU3N40TU
仓库库存编号:
FDU3N40TU-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-346
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 200mW(Ta) SMT3
型号:
RHK003N06T146
仓库库存编号:
RHK003N06T146CT-ND
别名:RHK003N06T146CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta),5.5A(Tc) 3.1W(Ta),29W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86113LZ
仓库库存编号:
FDD86113LZFSCT-ND
别名:FDD86113LZFSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 2.4A(Tc) 22W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R2K0CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R2K0CEBKMA1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 2.8A(Ta) 490mW(Ta) TO-236AB
型号:
PMV65UNER
仓库库存编号:
1727-2707-1-ND
别名:1727-2707-1
568-13226-1
568-13226-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGTR-ND
别名:TSM1N80CW RPGTR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGCT-ND
别名:TSM1N80CW RPGCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 300mA(Ta) 2.1W(Tc) SOT-223
型号:
TSM1N80CW RPG
仓库库存编号:
TSM1N80CW RPGDKR-ND
别名:TSM1N80CW RPGDKR
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 8A U8FL
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 2.4A(Ta) 3W(Ta),18W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NVTFS5124PLTAG
仓库库存编号:
NVTFS5124PLTAGOSCT-ND
别名:NVTFS5124PLTAGOSCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 620mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SC-59
型号:
BSR315PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSR315PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSR315PH6327XTSA1CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK-3
详细描述:通孔 N 沟道 4.4A(Tc) 50W(Tc) I-Pak
型号:
FDU6N25
仓库库存编号:
FDU6N25-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 400V 2A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 35W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3T40P
仓库库存编号:
785-1720-1-ND
别名:785-1720-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Tc) SOT-223
型号:
STN1NF10
仓库库存编号:
497-14747-1-ND
别名:497-14747-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2A(Tc) 30W(Tc) D-Pak
型号:
FDD3N40TM
仓库库存编号:
FDD3N40TMCT-ND
别名:FDD3N40TMCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Ta),7.5A(Tc) 2.3W(Ta),19W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC86116LZ
仓库库存编号:
FDMC86116LZCT-ND
别名:FDMC86116LZCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
FDFS6N754
仓库库存编号:
FDFS6N754CT-ND
别名:FDFS6N754CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC86244
仓库库存编号:
FDC86244CT-ND
别名:FDC86244CT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 490mW(Ta), 6.25W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV65ENEAR
仓库库存编号:
1727-2535-1-ND
别名:1727-2535-1
568-12974-1
568-12974-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.8A(Tc) 27W(Tc) I-Pak
型号:
STU3N45K3
仓库库存编号:
497-12362-ND
别名:497-12362
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 6nC @ 10V,
无铅
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