产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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技术
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(3)
TO-220-3(3)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(2)
TO-262-3 整包,I2Pak(1)
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Infineon Technologies(5)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
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150 毫欧 @ 11A,10V(9)
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10V(9)
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N 沟道(9)
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18A(Tc)(5)
22A(Tc)(4)
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1440pF @ 100V(2)
1160pF @ 25V(5)
2400pF @ 25V(2)
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4V @ 250μA(9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) D2PAK
型号:
IRF640NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRF640NSTRLPBFCT-ND
别名:IRF640NSTRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 30W(Tc) I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI28N60M2
仓库库存编号:
497-15001-5-ND
别名:497-15001-5
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF640NPBF
仓库库存编号:
IRF640NPBF-ND
别名:*IRF640NPBF
SP001570078
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NLPBF
仓库库存编号:
IRF640NLPBF-ND
别名:*IRF640NLPBF
SP001563296
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
STB28N60M2
仓库库存编号:
497-14972-1-ND
别名:497-14972-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) D2PAK
型号:
STB22NS25ZT4
仓库库存编号:
STB22NS25ZT4-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 22A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 250V 22A(Tc) 135W(Tc) TO-220AB
型号:
STP22NS25Z
仓库库存编号:
497-6740-5-ND
别名:497-6740-5
STP22NS25Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
64-0007
仓库库存编号:
64-0007-ND
别名:*IRF640N
IRF640N
IRF640N-ND
SP001522470
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 18A(Tc) 150W(Tc) TO-262
型号:
IRF640NL
仓库库存编号:
IRF640NL-ND
别名:*IRF640NL
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 11A,10V,
含铅
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