产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
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STM32F103C8T6
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(11)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(2)
TO-261-4，TO-261AA(5)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(13)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(12)
TO-220-3(4)
TO-243AA(5)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(5)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
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Infineon Technologies(60)
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表面贴装(48)
通孔(12)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(23)
-55°C ~ 175°C（TJ）(37)
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SIPMOS?(11)
HEXFET?(48)
SIPMOS?(1)
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剪切带（CT） (16)
带卷（TR） (22)
管件 (22)
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在售(10)
已不再提供(1)
过期(49)
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8-SO(11)
D-Pak(13)
D2PAK(12)
TO-220AB(4)
PG-SC-59(2)
PG-SOT223-4(5)
IPAK（TO-251）(5)
TO-262(3)
PG-SOT89(5)
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MOSFET（金属氧化物）(60)
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±20V(12)
±12V(48)
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6.8nC @ 10V(1)
4.8nC @ 10V(2)
35nC @ 4.5V(24)
32nC @ 4.5V(3)
24nC @ 4.5V(16)
56nC @ 5V(2)
2.4nC @ 10V(2)
44nC @ 4.5V(2)
62nC @ 5V(1)
5.4nC @ 10V(2)
6.1nC @ 10V(5)
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12 毫欧 @ 15A，10V(9)
12 毫欧 @ 11A，10V(3)
13 毫欧 @ 10A，10V(2)
6.5 毫欧 @ 16A，10V(1)
11 欧姆 @ 140mA，10V(2)
12 欧姆 @ 190mA，10V(5)
6 欧姆 @ 350mA，10V(1)
8.5 毫欧 @ 15A，10V(10)
12.5 毫欧 @ 15A，10V(7)
9 毫欧 @ 12A，10V(3)
9 毫欧 @ 15A，10V(11)
7.5 毫欧 @ 15A，10V(2)
12 欧姆 @ 260mA，10V(2)
6 欧姆 @ 370mA，10V(2)
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2.8V，10V(60)
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N 沟道(51)
P 沟道(9)
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260mA（Ta）(2)
350mA（Ta）(1)
140mA（Ta）(2)
190mA（Ta）(5)
11A（Ta）(3)
10A（Ta）(2)
12A（Ta）(3)
15A（Ta）(2)
61A（Tc）(7)
75A（Tc）(11)
16A（Ta）(1)
77A（Tc）(10)
62A（Tc）(9)
370mA（Ta）(2)
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70pF @ 25V(2)
3430pF @ 20V(2)
3640pF @ 15V(1)
109pF @ 25V(2)
104pF @ 25V(7)
95pF @ 25V(1)
2417pF @ 15V(16)
2530pF @ 15V(3)
3480pF @ 25V(2)
2410pF @ 10V(21)
2480pF @ 10V(3)
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-(60)
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2V @ 250μA(48)
1.8V @ 50μA(2)
1V @ 130μA(2)
2V @ 130μA(7)
1.4V @ 108μA(1)
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500mW（Ta）(1)
1W（Ta）(5)
500mW（Tc）(1)
2.5W（Ta）(11)
88W（Tc）(21)
1.8W（Ta）(3)
1.79W（Ta）(2)
87W（Tc）(16)
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20V(25)
240V(1)
100V(2)
40V(2)
30V(21)
250V(9)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7470TRPBF
仓库库存编号：
IRF7470PBFCT-ND
别名：*IRF7470TRPBF
IRF7470PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7456TRPBF
仓库库存编号：
IRF7456PBFCT-ND
别名：*IRF7456TRPBF
IRF7456PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 140mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR92PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR92PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR92PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS192PH6327FTSA1
仓库库存编号：
BSS192PH6327FTSA1CT-ND
别名：BSS192PH6327FTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 4SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP88H6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP88H6327XTSA1CT-ND
别名：BSP88H6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 87W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3708TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3708TRPBFCT-ND
别名：IRFR3708TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708PBF
仓库库存编号：
IRF3708PBF-ND
别名：*IRF3708PBF
SP001553964
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 260MA 4SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 260mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP92PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP92PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP92PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7455TRPBF
仓库库存编号：
IRF7455PBFCT-ND
别名：*IRF7455TRPBF
IRF7455PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
详细描述：表面贴装 P 沟道 250V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
型号：
BSS192PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSS192PH6327XTSA1-ND
别名：SP001195030
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7455
仓库库存编号：
IRF7455-ND
别名：*IRF7455
SP001572180
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706S
仓库库存编号：
IRF3706S-ND
别名：*IRF3706S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459
仓库库存编号：
IRF7459-ND
别名：*IRF7459
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7467
仓库库存编号：
IRF7467-ND
别名：*IRF7467
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3706
仓库库存编号：
IRF3706-ND
别名：*IRF3706
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） TO-262
型号：
IRF3706L
仓库库存编号：
IRF3706L-ND
别名：*IRF3706L
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRL
仓库库存编号：
IRF3706STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 77A（Tc） 88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3706STRR
仓库库存编号：
IRF3706STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF3708
仓库库存编号：
IRF3708-ND
别名：*IRF3708
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708S
仓库库存编号：
IRF3708S-ND
别名：*IRF3708S
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRL
仓库库存编号：
IRF3708STRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3708STRR
仓库库存编号：
IRF3708STRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 12A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7459TR
仓库库存编号：
IRF7459TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7467TR
仓库库存编号：
IRF7467TR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.8V，10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 61A（Tc） 87W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3708
仓库库存编号：
IRFU3708-ND
别名：*IRFU3708
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