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封装/外壳制造商安装类型工作温度系列包装零件状态供应商器件封装技术Vgs(最大值)不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)FET 类型电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)FET 功能不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)功率耗散(最大值)漏源电压(Vdss)

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  • Nexperia USA Inc. - PSMN022-30PL,127 - MOSFET N-CH 30V TO220AB
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V TO220AB

    详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 41W(Tc) TO-220AB

    型号:PSMN022-30PL,127
    仓库库存编号:1727-5893-ND
    别名:1727-5893
    568-7512-5
    568-7512-5-ND
    934063985127
    PSMN022-30PL,127-ND
    PSMN02230PL127

    产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 30A(Tc),

  • 无铅
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