产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(10)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(14)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(4)
TO-220-3(3)
TO-247-3(1)
SC-70，SOT-323(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(6)
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA(2)
TO-247-3 变式(3)
i4-Pac?-5（3 引线）(1)
TO-226-3，TO-92-3 长体(1)
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STMicroelectronics(8)
Fairchild/ON Semiconductor(11)
IXYS(17)
Infineon Technologies(2)
NXP USA Inc.(1)
Taiwan Semiconductor Corporation(7)
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表面贴装(31)
通孔(15)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(45)
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-(18)
SuperMESH??(4)
STripFET?? II(3)
TrenchMOS??(1)
QFET?(10)
SIPMOS?(2)
PolarVHV??(2)
MESH OVERLAY??(1)
Polar??(5)
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剪切带（CT） (13)
带卷（TR） (7)
管件 (23)
-Reel? (2)
带盒（TB） (1)
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在售(36)
过期(10)
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SOT-223(7)
D-Pak(8)
TO-220AB(3)
SOT-323-3(1)
TO-252，（D-Pak）(6)
SOT-223-4(1)
I-Pak(5)
TO-263(1)
TO-263（IXTA）(3)
TO-247（IXTH）(1)
TO-268(2)
ISOPLUS i4-PAC?(1)
TO-247HV(3)
PG-SOT223-4(2)
TO-251（IPAK）(1)
TO-92L(1)
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MOSFET（金属氧化物）(46)
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±30V(22)
±20V(22)
±12V(1)
重新选择
-(1)
10nC @ 10V(2)
7.7nC @ 10V(2)
9nC @ 10V(2)
7.2nC @ 10V(3)
8.2nC @ 10V(1)
6nC @ 10V(4)
5.7nC @ 10V(1)
40nC @ 10V(1)
0.9nC @ 10V(1)
6.2nC @ 10V(3)
16.5nC @ 10V(2)
15.5nC @ 10V(3)
46nC @ 10V(1)
0.72nC @ 4.5V(1)
30.6nC @ 10V(2)
9.3nC @ 10V(1)
78nC @ 10V(1)
6.1nC @ 10V(7)
23.5nC @ 10V(3)
47nC @ 5V(1)
17.6nC @ 10V(2)
15.7nC @ 10V(1)
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-(1)
8.5 欧姆 @ 500mA，10V(2)
16 欧姆 @ 500mA，10V(2)
10 欧姆 @ 500mA，10V(7)
80 欧姆 @ 50mA，10V(1)
1.5 欧姆 @ 500mA，10V(4)
11.5 欧姆 @ 500mA，10V(6)
85 欧姆 @ 50mA，10V(1)
350 毫欧 @ 200mA，4.5V(1)
1.05 欧姆 @ 500mA，10V(1)
800 毫欧 @ 500mA，10V(1)
20 欧姆 @ 500mA，10V(5)
800 毫欧 @ 1A，10V(2)
40 欧姆 @ 500mA，10V(3)
50 欧姆 @ 500mA，10V(2)
15 欧姆 @ 500mA，10V(3)
14 欧姆 @ 500mA，10V(2)
16 欧姆 @ 500mA，0V(1)
60 欧姆 @ 500mA，10V(1)
重新选择
10V(41)
5V，10V(1)
4.5V，10V(2)
2.5V，4.5V(1)
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N 沟道(43)
P 沟道(3)
重新选择
1A（Tc）(46)
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-(1)
156pF @ 25V(2)
160pF @ 25V(2)
1700pF @ 25V(1)
150pF @ 25V(4)
170pF @ 25V(3)
90pF @ 25V(1)
250pF @ 25V(3)
1730pF @ 25V(1)
34pF @ 20V(1)
138pF @ 25V(7)
195pF @ 25V(3)
225pF @ 25V(1)
550pF @ 25V(2)
331pF @ 25V(3)
105pF @ 25V(1)
372pF @ 25V(2)
2530pF @ 25V(1)
646pF @ 25V(3)
895pF @ 25V(2)
3090pF @ 25V(1)
206pF @ 25V(1)
重新选择
-(45)
耗尽模式(1)
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-(2)
4.5V @ 50μA(7)
4V @ 250μA(13)
3.7V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(7)
1.5V @ 250μA(1)
3V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(7)
6.5V @ 250μA(1)
6V @ 250μA(1)
4V @ 50μA(2)
1V @ 380μA(2)
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-(1)
3.3W（Tc）(1)
45W（Tc）(2)
2.5W（Tc）(1)
125W（Tc）(3)
160W（Tc）(1)
2W（Ta）(1)
2W（Tc）(1)
3.1W（Ta）(1)
2.5W（Ta），28W（Tc）(3)
50W（Tc）(3)
2.5W（Ta），45W（Tc）(3)
30W（Tc）(2)
42W（Tc）(2)
1.8W（Ta）(2)
63W（Tc）(2)
520W（Tc）(2)
560mW（Tc）(1)
39W（Tc）(7)
195W（Tc）(2)
2.5W（Ta），30W（Tc）(3)
290W（Tc）(1)
2.9W（Tc）(1)
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20V(1)
200V(4)
100V(4)
600V(15)
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1200V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK80ZT4
仓库库存编号：
497-4751-1-ND
别名：497-4751-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2W（Ta） SOT-223
型号：
STN1NF20
仓库库存编号：
497-12273-1-ND
别名：497-12273-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF20L
仓库库存编号：
497-10779-1-ND
别名：497-10779-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
型号：
FQD1N60CTM
仓库库存编号：
FQD1N60CTMCT-ND
别名：FQD1N60CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK60T4
仓库库存编号：
497-2483-1-ND
别名：497-2483-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N450HV
仓库库存编号：
IXTT1N450HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK60-1
仓库库存编号：
497-12782-5-ND
别名：497-12782-5
STD1NK60-1-ND
STD1NK601
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU1N60CTU
仓库库存编号：
FQU1N60CTUFS-ND
别名：FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
型号：
STD1NK80Z-1
仓库库存编号：
497-16198-5-ND
别名：497-16198-5
STD1NK80Z-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT5P10TF
仓库库存编号：
FQT5P10TFCT-ND
别名：FQT5P10TFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NF10
仓库库存编号：
497-14747-1-ND
别名：497-14747-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD1N80TM
仓库库存编号：
FQD1N80TMCT-ND
别名：FQD1N80TMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
型号：
FQU1N80TU
仓库库存编号：
FQU1N80TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Tc） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
型号：
BSP322PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSP322PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSP322PH6327XTSA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-263HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTA1N200P3HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH1N200P3
仓库库存编号：
IXTH1N200P3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N300P3HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 195W（Tc） TO-268
型号：
IXTT1N300P3HV
仓库库存编号：
IXTT1N300P3HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N450HV
仓库库存编号：
IXTH1N450HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
不受无铅要求限制
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 125W（Tc） TO-247HV
型号：
IXTH1N200P3HV
仓库库存编号：
IXTH1N200P3HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGTR-ND
别名：TSM1NB60CW RPGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGCT-ND
别名：TSM1NB60CW RPGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） SOT-223
型号：
TSM1NB60CW RPG
仓库库存编号：
TSM1NB60CW RPGDKR-ND
别名：TSM1NB60CW RPGDKR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM1NB60CP ROG
仓库库存编号：
TSM1NB60CP ROGTR-ND
别名：TSM1NB60CP ROGTR
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 39W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
TSM1NB60CP ROG
仓库库存编号：
TSM1NB60CP ROGCT-ND
别名：TSM1NB60CP ROGCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 1A（Tc）,
无铅
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