产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(3)
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3(7)
TO-261-4，TO-261AA(3)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(11)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(8)
TO-220-3(5)
TO-220-3 整包(4)
PowerPAK? 1212-8(2)
TO-225AA，TO-126-3(1)
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA(2)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(4)
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STMicroelectronics(6)
Fairchild/ON Semiconductor(12)
On Semiconductor(3)
Vishay Siliconix(18)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(2)
Infineon Technologies(9)
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表面贴装(34)
通孔(16)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(38)
-55°C ~ 175°C（TJ）(5)
150°C（TJ）(5)
-50°C ~ 150°C（TJ）(1)
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-(15)
SuperMESH??(6)
TrenchFET?(8)
QFET?(10)
HEXFET?(6)
UniFET-II??(2)
FETKY??(3)
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剪切带（CT） (16)
带卷（TR） (13)
管件 (21)
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已不再提供(2)
过期(24)
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8-SO(3)
SOT-223(3)
D-Pak(4)
D2PAK(7)
TO-220-3(2)
TO-220AB(3)
TO-220FP(1)
SOT-23-3（TO-236）(4)
DPAK-3(3)
TO-252，（D-Pak）(4)
PowerPAK? 1212-8(2)
D2PAK（TO-263AB）(1)
TO-220F(2)
I-Pak(2)
TO-126(1)
Micro3?/SOT-23(3)
I2PAK(4)
TO-220-3F(1)
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MOSFET（金属氧化物）(50)
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±30V(28)
±20V(14)
±16V(3)
±25V(2)
±15V(3)
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14nC @ 10V(3)
10nC @ 10V(2)
26nC @ 10V(16)
12nC @ 10V(6)
20nC @ 10V(5)
10.8nC @ 10V(2)
23nC @ 10V(10)
27nC @ 10V(3)
15.6nC @ 5V(3)
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360 毫欧 @ 3.9A，10V(4)
1.2 欧姆 @ 500mA，10V(4)
65 毫欧 @ 3.1A，10V(3)
25 毫欧 @ 25A，10V(2)
2 欧姆 @ 2A，10V(6)
98 毫欧 @ 3A，10V(3)
360 毫欧 @ 4.75A，10V(5)
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V(2)
2.5 欧姆 @ 1.9A，10V(1)
35 毫欧 @ 4.1A，10V(3)
2.2 欧姆 @ 2.2A，10V(10)
2.5 欧姆 @ 1.7A，10V(1)
360 毫欧 @ 2A，10V(1)
450 毫欧 @ 2.5A，10V(3)
2.35 欧姆 @ 500mA，10V(2)
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10V(33)
4.5V，10V(8)
4V，10V(3)
6V，10V(6)
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N 沟道(38)
P 沟道(12)
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5A（Tc）(3)
4A（Tc）(7)
5.8A（Ta）(3)
3A（Ta）(3)
3.6A（Tc）(10)
25A（Tc）(2)
7.8A（Tc）(4)
3.1A（Ta）(3)
530mA（Ta）(2)
3.8A（Tc）(1)
2.17A（Tc）(2)
380mA（Ta）(2)
2.8A（Tc）(2)
9.5A（Tc）(5)
3.4A（Tc）(1)
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510pF @ 25V(50)
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-(47)
肖特基二极管（隔离式）(3)
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4.5V @ 50μA(6)
4V @ 250μA(13)
2V @ 250μA(3)
2.5V @ 250μA(3)
1V @ 250μA(3)
5V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(2)
4.5V @ 250μA(18)
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70W（Tc）(5)
35W（Tc）(1)
1W（Ta）(3)
750mW（Ta）(4)
2W（Ta）(3)
74W（Tc）(10)
38W（Tc）(1)
50W（Tc）(4)
3.2W（Ta），12.5W（Tc）(2)
83W（Tc）(1)
25W（Tc）(1)
1.25W（Ta）(3)
114W（Tc）(1)
72W（Tc）(4)
28W（Tc）(1)
2.1W（Ta），40W（Tc）(3)
3W（Ta），33W（Tc）(2)
12.8W（Tc）(1)
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150V(4)
200V(12)
40V(2)
30V(6)
60V(3)
600V(18)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.8A（Tc） 50W（Tc） D-Pak
型号：
FQD10N20CTM
仓库库存编号：
FQD10N20CTMCT-ND
别名：FQD10N20CTMCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2325DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2325DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2325DS-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 530mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2325DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2325DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2325DS-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7117DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7117DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7117DN-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5203TRPBF
仓库库存编号：
IRLML5203TRPBFCT-ND
别名：IRLML5203TRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
IRLL024NTRPBF
仓库库存编号：
IRLL024NPBFCT-ND
别名：*IRLL024NTRPBF
IRLL024NPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF10N20C
仓库库存编号：
FQPF10N20CFS-ND
别名：FQPF10N20C-ND
FQPF10N20CFS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
型号：
STP4NK60Z
仓库库存编号：
497-3191-5-ND
别名：497-3191-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3A SOT-23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5203GTRPBF
仓库库存编号：
IRLML5203GTRPBFCT-ND
别名：IRLML5203GTRPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 9.5A（Tc） 72W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP10N20C
仓库库存编号：
FQP10N20C-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
型号：
STB4NK60ZT4
仓库库存编号：
497-2486-1-ND
别名：497-2486-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 28W（Tc） TO-220F
型号：
FDPF4N60NZ
仓库库存编号：
FDPF4N60NZ-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD3N80
仓库库存编号：
785-1620-1-ND
别名：785-1620-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 2W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7421D1TRPBF
仓库库存编号：
IRF7421D1PBFCT-ND
别名：*IRF7421D1TRPBF
IRF7421D1PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC30APBF
仓库库存编号：
IRFBC30APBF-ND
别名：*IRFBC30APBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） I2PAK
型号：
STB4NK60Z-1
仓库库存编号：
497-12536-5-ND
别名：497-12536-5
STB4NK60Z-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Tc） 114W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD4N60NZ
仓库库存编号：
FDD4N60NZCT-ND
别名：FDD4N60NZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 74W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBC30ASPBF
仓库库存编号：
IRFBC30ASPBF-ND
别名：*IRFBC30ASPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD4NK60ZT4
仓库库存编号：
497-5889-1-ND
别名：497-5889-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
型号：
STP4NK60ZFP
仓库库存编号：
497-5980-5-ND
别名：497-5980-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
型号：
STD4NK60Z-1
仓库库存编号：
STD4NK60Z-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.8A（Tc） 50W（Tc） I-Pak
型号：
FQU10N20CTU
仓库库存编号：
FQU10N20CTU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 2.8A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF3N80
仓库库存编号：
785-1639-5-ND
别名：785-1639-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.17A（Tc） 3.2W（Ta），12.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7117DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7117DN-T1-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.6A（Tc） 74W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBC30ALPBF
仓库库存编号：
IRFBC30ALPBF-ND
别名：*IRFBC30ALPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 510pF @ 25V,
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