产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 499pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(1)
TO-220-3(1)
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA(1)
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STMicroelectronics(3)
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表面贴装(1)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
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管件 (2)
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8.5 欧姆 @ 900mA,10V(3)
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10V(3)
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N 沟道(3)
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1.85A(Tc)(3)
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499pF @ 25V(3)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) D-Pak
型号:
STD2NK100Z
仓库库存编号:
497-7964-1-ND
别名:497-7964-1
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 499pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) TO-220AB
型号:
STP2NK100Z
仓库库存编号:
497-7518-5-ND
别名:497-7518-5
STP2NK100Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 499pF @ 25V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1000V 1.85A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.85A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU2NK100Z
仓库库存编号:
497-12694-5-ND
别名:497-12694-5
STU2NK100Z-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 499pF @ 25V,
无铅
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