产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-247-3(4)
TO-264-3，TO-264AA(5)
ISOPLUS264?(1)
SOT-227-4，miniBLOC(4)
ISOTOP(1)
8-PowerSFN(2)
ISOPLUS247?(3)
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STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(3)
Vishay Siliconix(1)
Microsemi Corporation(1)
IXYS(14)
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表面贴装(3)
通孔(13)
底座安装(5)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(16)
-65°C ~ 150°C（TJ）(2)
-55°C ~ 175°C（TJ）(3)
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SuperMESH??(2)
PowerTrench?(1)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(1)
UniFET??(1)
PolarP??(4)
HiPerFET??(2)
POWER MOS 7?(1)
HiPerFET?，PolarHT?(6)
PolarHV??(2)
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剪切带（CT） (3)
管件 (18)
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PLUS264?(1)
ISOTOP?(2)
ISOPLUS247?(3)
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MOSFET（金属氧化物）(21)
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±30V(14)
±20V(7)
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200nC @ 10V(6)
165nC @ 10V(1)
198nC @ 10V(2)
205nC @ 10V(4)
270nC @ 10V(1)
238nC @ 10V(1)
265nC @ 10V(2)
490nC @ 10V(2)
188nC @ 10V(2)
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190 毫欧 @ 22A，10V(2)
44 毫欧 @ 500mA，10V(2)
96 毫欧 @ 500mA，10V(3)
44 毫欧 @ 22A，10V(1)
3.2 毫欧 @ 30A，10V(1)
0.9 毫欧 @ 80A，10V(2)
38 毫欧 @ 44A，10V(1)
260 毫欧 @ 14A，10V(2)
55 毫欧 @ 50A，10V(1)
88 毫欧 @ 35A，10V(1)
48 毫欧 @ 45A，10V(1)
105 毫欧 @ 32A，10V(1)
200 毫欧 @ 22A，10V(1)
190 毫欧 @ 500mA，10V(1)
92 毫欧 @ 35A，10V(1)
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10V(21)
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N 沟道(17)
P 沟道(4)
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120A（Tc）(1)
28A（Tc）(1)
25A（Tc）(1)
90A（Tc）(3)
26A（Tc）(1)
50A（Tc）(1)
100A（Tc）(1)
44A（Tc）(2)
36A（Tc）(1)
39A（Tc）(1)
240A（Tc）(2)
64A（Tc）(2)
37A（Tc）(1)
70A（Tc）(1)
53A（Tc）(1)
88A（Tc）(1)
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12000pF @ 25V(21)
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-(21)
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4V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(4)
3.5V @ 250μA(1)
4.5V @ 150μA(2)
5V @ 8mA(8)
5.5V @ 8mA(2)
5V @ 5mA(1)
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312W（Tc）(1)
320W（Tc）(1)
450W（Tc）(1)
300W（Tc）(1)
375W（Tc）(1)
1040W（Tc）(4)
360W（Tc）(1)
890W（Tc）(4)
700W（Tc）(1)
500W（Tc）(1)
694W（Tc）(2)
2500W（Tc）(1)
357W（Tj）(2)
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80V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK44N80P
仓库库存编号：
IXFK44N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A TO-264
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK90P20P
仓库库存编号：
IXTK90P20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX64N60P
仓库库存编号：
IXFX64N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 90A（Tc） 890W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXTX90P20P
仓库库存编号：
IXTX90P20P-ND
别名：620108
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 1040W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX44N80P
仓库库存编号：
IXFX44N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SQM60030E_GE3
仓库库存编号：
SQM60030E_GE3CT-ND
别名：SQM60030E_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL9403_F085
仓库库存编号：
FDBL9403_F085CT-ND
别名：FDBL9403_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 240A H-PSOF8
详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 357W（Tj） 8-PSOF
型号：
FDBL0090N40
仓库库存编号：
FDBL0090N40CT-ND
别名：FDBL0090N40CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 1040W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK64N60P
仓库库存编号：
IXFK64N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 50A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN64N60P
仓库库存编号：
IXFN64N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 88A SOT-227
详细描述：底座安装 N 沟道 88A（Tc） 694W（Tc） ISOTOP?
型号：
APT50M38JLL
仓库库存编号：
APT50M38JLL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 100A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 2500W（Tc） TO-264
型号：
FDL100N50F
仓库库存编号：
FDL100N50F-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 890W（Tc） PLUS264?
型号：
IXFB70N60Q2
仓库库存编号：
IXFB70N60Q2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXTR90P20P
仓库库存编号：
IXTR90P20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 36A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR64N60P
仓库库存编号：
IXFR64N60P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR44N80P
仓库库存编号：
IXFR44N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
详细描述：底座安装 N 沟道 800V 39A（Tc） 694W（Tc） SOT-227B
型号：
IXFN44N80P
仓库库存编号：
IXFN44N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 90A SOT227
详细描述：底座安装 P 沟道 200V 90A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
型号：
IXTN90P20P
仓库库存编号：
IXTN90P20P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
详细描述：通孔 N 沟道 600V 37A（Tc） 360W（Tc） ISOPLUS264?
型号：
IXFL70N60Q2
仓库库存编号：
IXFL70N60Q2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 26A（Tc） 450W（Tc） MAX247?
型号：
STY30NK90Z
仓库库存编号：
497-4431-5-ND
别名：497-4431-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
详细描述：底座安装 N 沟道 900V 28A（Tc） 500W（Tc） ISOTOP?
型号：
STE30NK90Z
仓库库存编号：
497-4336-5-ND
别名：497-4336-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12000pF @ 25V,
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