产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(1)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(10)
TO-220-3(2)
TO-220-3 整包(1)
6-UFBGA，WLCSP(1)
8-SMD，扁平引线(2)
6-WFDFN 裸露焊盘(1)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(3)
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Rohm Semiconductor(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(1)
Renesas Electronics America(1)
Infineon Technologies(16)
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表面贴装(15)
通孔(6)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）(15)
150°C（TJ）(5)
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-(4)
U-MOSVI(1)
HEXFET?(16)
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剪切带（CT） (4)
散装 (1)
带卷（TR） (7)
管件 (9)
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在售(5)
过期(16)
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8-SO(1)
D2PAK(10)
TO-220AB(2)
8-TSST(1)
TO-262(3)
TSMT8(1)
TO-220FN(1)
6-HUSON（2x2）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(21)
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±30V(1)
±20V(16)
±10V(2)
±12V(2)
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-(1)
11nC @ 4.5V(17)
40nC @ 10V(1)
7.9nC @ 10V(1)
9.8nC @ 4.5V(1)
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22 毫欧 @ 6.5A，4.5V(1)
11 毫欧 @ 15A，10V(15)
28 毫欧 @ 6A，4.5V(1)
70 毫欧 @ 4.6A，10V(1)
31 毫欧 @ 3A，8.5V(1)
19.1 毫欧 @ 3.5A，2.5V(1)
1.1 欧姆 @ 4A，10V(1)
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10V(1)
4.5V，10V(16)
1.5V，4.5V(2)
2.5V，4.5V(1)
2.5V，8.5V(1)
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N 沟道(19)
P 沟道(2)
重新选择
6A（Ta）(1)
5A（Ta）(1)
6.5A（Ta）(1)
50A（Tc）(15)
4.6A（Ta）(1)
7A（Ta）(2)
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870pF @ 10V(21)
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-(21)
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-(1)
1V @ 1mA(2)
3V @ 250μA(1)
4V @ 1mA(1)
1.2V @ 1mA，3V(1)
2.55V @ 250μA(15)
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45W（Tc）(15)
2.5W（Tc）(1)
700mW（Ta）(1)
2.4W（Ta）(1)
30W（Tc）(1)
1.2W（Ta）(1)
650mW（Ta）(1)
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20V(19)
30V(1)
450V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
型号：
IRF7205TRPBF
仓库库存编号：
IRF7205PBFCT-ND
别名：*IRF7205TRPBF
IRF7205PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 650mW（Ta） 8-TSST
型号：
RT1C060UNTR
仓库库存编号：
RT1C060UNCT-ND
别名：RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
型号：
RQ1C065UNTR
仓库库存编号：
RQ1C065UNCT-ND
别名：RQ1C065UNTRCT
RQ1C065UNTRCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.2W（Ta）
型号：
SSM6J771G,LF
仓库库存编号：
SSM6J771GLFCT-ND
别名：SSM6J771GLFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 20V 7A 6SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.4W（Ta） 6-HUSON（2x2）
型号：
UPA2600T1R-E2-AX
仓库库存编号：
UPA2600T1R-E2-AX-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN
详细描述：通孔 N 沟道 450V 7A（Ta） 30W（Tc） TO-220FN
型号：
2SK2299N
仓库库存编号：
2SK2299N-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZS
仓库库存编号：
IRL3715ZS-ND
别名：*IRL3715ZS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCS
仓库库存编号：
IRL3715ZCS-ND
别名：*IRL3715ZCS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715Z
仓库库存编号：
IRL3715Z-ND
别名：*IRL3715Z
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZL
仓库库存编号：
IRL3715ZL-ND
别名：*IRL3715ZL
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRL
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRL-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRR
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRR-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZCLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCLPBF-ND
别名：*IRL3715ZCLPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSPBF-ND
别名：SP001550328
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-262
型号：
IRL3715ZLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZLPBF-ND
别名：*IRL3715ZLPBF
SP001558032
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL3715ZPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZPBF-ND
别名：*IRL3715ZPBF
SP001552574
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZCSPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRRPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRRPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSTRRP
仓库库存编号：
IRL3715ZCSTRRP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL3715ZSTRLPBF-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
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MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3715ZCSTRLP
仓库库存编号：
IRL3715ZCSTRLP-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 10V,
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