产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(2)
TO-220-3(2)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(2)
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Infineon Technologies(6)
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表面贴装(2)
通孔(4)
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-55°C ~ 175°C(TJ)(6)
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HEXFET?(6)
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剪切带(CT) (1)
带卷(TR) (1)
管件 (4)
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在售(4)
过期(2)
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D2PAK(2)
TO-220AB(2)
TO-262(2)
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146nC @ 10V(6)
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8 毫欧 @ 62A,10V(6)
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N 沟道(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF3205PBF
仓库库存编号:
IRF3205PBF-ND
别名:*IRF3205PBF
64-0085PBF
64-0085PBF-ND
SP001559536
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3205STRLPBFCT-ND
别名:IRF3205STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205LPBF
仓库库存编号:
IRF3205LPBF-ND
别名:*IRF3205LPBF
SP001564458
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF3205
仓库库存编号:
AUIRF3205-ND
别名:SP001519502
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) TO-262
型号:
IRF3205L
仓库库存编号:
IRF3205L-ND
别名:*IRF3205L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3205STRR
仓库库存编号:
IRF3205STRR-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3247pF @ 25V,
含铅
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