产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(2)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(34)
TO-220-3(17)
TO-220-3 整包(5)
TO-247-3(2)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型(1)
PowerPAK? SO-8(2)
TO-3P-3，SC-65-3(1)
TO-220-3 全封装，隔离接片(10)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(8)
SC-83(3)
SC-94(1)
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Fairchild/ON Semiconductor(13)
Rohm Semiconductor(1)
Vishay Siliconix(50)
IXYS(7)
Renesas Electronics America(6)
Infineon Technologies(11)
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表面贴装(44)
通孔(44)
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-(1)
-55°C ~ 150°C（TJ）(50)
-55°C ~ 175°C（TJ）(30)
175°C（TJ）(1)
150°C（TJ）(6)
重新选择
-(59)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
QFET?(13)
HEXFET?(11)
PolarVHV??(3)
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剪切带（CT） (6)
带卷（TR） (25)
管件 (57)
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在售(48)
已不再提供(1)
过期(39)
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8-SO(2)
D2PAK(28)
TO-220-3(13)
TO-220AB(13)
TO-220(1)
TO-220FP(2)
TO-247-3(1)
PowerPAK? SO-8(2)
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TO-220F(3)
TO-263AB(1)
TO-263(1)
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TO-3PF(1)
TO-3P(1)
TO-247（IXTH）(1)
CPT3(1)
TO-262(2)
I2PAK(6)
4-LDPAK(3)
TO-263AA(1)
TO-252（MP-3ZK）(1)
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MOSFET（金属氧化物）(88)
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±30V(56)
±20V(22)
±10V(10)
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39nC @ 10V(36)
17nC @ 10V(3)
30nC @ 10V(9)
59nC @ 10V(2)
29nC @ 10V(3)
50nC @ 10V(9)
38nC @ 10V(4)
40nC @ 10V(10)
23nC @ 5V(1)
34nC @ 10V(10)
42nC @ 10V(1)
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336 毫欧 @ 3.8A，10V(1)
850 毫欧 @ 4.8A，10V(9)
550 毫欧 @ 6A，10V(7)
4.8 欧姆 @ 1.5A，10V(3)
140 毫欧 @ 11A，10V(8)
400 毫欧 @ 5.4A，5V(8)
190 毫欧 @ 9A，10V(1)
45 毫欧 @ 2.8A，10V(2)
4.5 欧姆 @ 500mA，10V(1)
200 毫欧 @ 7.5A，10V(4)
850 毫欧 @ 2.7A，10V(2)
1.2 欧姆 @ 3.7A，10V(6)
30 毫欧 @ 10A，10V(1)
1.2 欧姆 @ 2.1A，10V(2)
33 毫欧 @ 7A，10V(1)
190 毫欧 @ 8.25A，10V(2)
140 毫欧 @ 7.2A，10V(2)
400 毫欧 @ 3.7A，5V(2)
300 毫欧 @ 6A，10V(3)
3.3 欧姆 @ 2.1A，10V(3)
550 毫欧 @ 3.4A，10V(2)
920 毫欧 @ 5A，10V(2)
190 毫欧 @ 5.25A，10V(1)
190 毫欧 @ 6.2A，10V(1)
3.3 欧姆 @ 1.25A，10V(1)
620 毫欧 @ 6A，10V(2)
37 毫欧 @ 11A，10V(1)
510 毫欧 @ 7A，10V(1)
170 毫欧 @ 9.8A，10V(9)
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10V(72)
4.5V，10V(5)
4V，10V(1)
4V，5V(10)
重新选择
N 沟道(67)
P 沟道(21)
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12A（Tc）(5)
18A（Tc）(9)
16A（Tc）(9)
2.5A（Tc）(1)
3A（Tc）(4)
9A（Tc）(8)
10A（Tc）(7)
10.5A（Tc）(1)
3.5A（Tc）(2)
8A（Tc）(9)
5.8A（Ta）(2)
10A（Ta）(2)
12A（Ta）(2)
23A（Tc）(1)
26A（Tc）(1)
14A（Ta）(1)
5.7A（Tc）(2)
15A（Tc）(4)
7.5A（Tc）(1)
22A（Ta）(1)
4.5A（Tc）(2)
16.5A（Tc）(2)
6.2A（Tc）(8)
4.2A（Tc）(3)
12.4A（Tc）(1)
重新选择
1100pF @ 25V(88)
重新选择
-(88)
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-(5)
4V @ 250μA(47)
2V @ 250μA(10)
2.5V @ 250μA(3)
1V @ 250μA(2)
5V @ 250μA(8)
2.5V @ 1mA(1)
4.5V @ 250μA(3)
5.5V @ 250μA(9)
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-(5)
45W（Tc）(2)
125W（Tc）(13)
100W（Tc）(5)
35W（Tc）(2)
140W（Tc）(1)
40W（Tc）(6)
56W（Tc）(1)
2.5W（Ta）(2)
74W（Tc）(2)
30W（Tc）(2)
42W（Tc）(2)
88W（Tc）(2)
120W（Tc）(1)
200W（Tc）(1)
41W（Tc）(2)
47W（Tc）(1)
3.7W（Ta），88W（Tc）(6)
3.1W（Ta），125W（Tc）(7)
180W（Tc）(3)
850mW（Ta），20W（Tc）(1)
3.8W（Ta），140W（Tc）(9)
3.1W（Ta），74W（Tc）(6)
3.13W（Ta），140W（Tc）(2)
1.2W（Ta），45W（Tc）(1)
3.75W（Ta），100W（Tc）(3)
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200V(19)
120V(4)
100V(6)
30V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 18A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z34PBF
仓库库存编号：
IRF9Z34PBF-ND
别名：*IRF9Z34PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34SPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34SPBF-ND
别名：IRF9Z34SPBFCT
IRF9Z34SPBFCT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL630PBF
仓库库存编号：
IRL630PBF-ND
别名：*IRL630PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7406TRPBF
仓库库存编号：
IRF7406PBFCT-ND
别名：*IRF7406TRPBF
IRF7406PBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF15P12
仓库库存编号：
FQPF15P12-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI840GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI840GLCPBF-ND
别名：*IRFI840GLCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF740LCPBF
仓库库存编号：
IRF740LCPBF-ND
别名：*IRF740LCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号：
IRFBC40LCPBF-ND
别名：*IRFBC40LCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 26A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 26A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ474EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ474EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ474EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 45W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ158EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ158EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJ158EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 850mW（Ta），20W（Tc） CPT3
型号：
RCD075N19TL
仓库库存编号：
RCD075N19TLCT-ND
别名：RCD075N19TLCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
型号：
IXTA3N120HV
仓库库存编号：
IXTA3N120HV-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 16.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP17P10
仓库库存编号：
FQP17P10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF840LCPBF
仓库库存编号：
IRF840LCPBF-ND
别名：*IRF840LCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 12A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9Z34GPBF
仓库库存编号：
IRFI9Z34GPBF-ND
别名：*IRFI9Z34GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 6.2A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI630GPBF
仓库库存编号：
IRLI630GPBF-ND
别名：*IRLI630GPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-263AA
型号：
IXTA12N65X2
仓库库存编号：
IXTA12N65X2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP15P12
仓库库存编号：
FQP15P12-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.2A（Tc） 3.13W（Ta），140W（Tc） I2PAK
型号：
FQI4N90TU
仓库库存编号：
FQI4N90TU-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630SPBF
仓库库存编号：
IRL630SPBF-ND
别名：*IRL630SPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.7A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI740GLCPBF
仓库库存编号：
IRFI740GLCPBF-ND
别名：*IRFI740GLCPBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRF9Z34STRLPBF
仓库库存编号：
IRF9Z34STRLPBFCT-ND
别名：IRF9Z34STRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-220
型号：
IXTP12N65X2
仓库库存编号：
IXTP12N65X2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247-3
型号：
IXTH12N65X2
仓库库存编号：
IXTH12N65X2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
型号：
RJK6012DPE-00#J3
仓库库存编号：
RJK6012DPE-00#J3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1100pF @ 25V,
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