产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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制造商
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系列
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供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(5)
TO-220-3(2)
TO-247-3(13)
8-PowerTDFN(1)
PowerPAK? SO-8(1)
TO-3P-3，SC-65-3(4)
TO-3P-3 整包(1)
24-PowerSMD，21 引线(1)
TO-220-3（SMT）标片(1)
ISOPLUS220?(3)
PLUS-220SMD(1)
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Fairchild/ON Semiconductor(6)
Vishay Siliconix(7)
IXYS(18)
Infineon Technologies(2)
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表面贴装(9)
通孔(24)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(24)
-55°C ~ 175°C（TJ）(9)
重新选择
-(13)
TrenchFET?(1)
PowerTrench?(2)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
QFET?(3)
汽车级，AEC-Q101，PowerTrench?(1)
HiPerFET??(4)
HiPerFET?，PolarHT?(5)
GigaMOS?，HiperFET?，TrenchT2?(1)
OptiMOS??(1)
汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?(1)
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剪切带（CT） (5)
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TO-220-3(1)
TO-220AB(1)
TO-247-3(5)
PowerPAK? SO-8(1)
D2PAK（TO-263AB）(2)
TO-263（D2Pak）(1)
TO-263（IXTA）(1)
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TO-3P(4)
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SMPD(1)
ISOPLUS220?(3)
PLUS220(1)
PLUS-220SMD(1)
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MOSFET（金属氧化物）(33)
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±30V(9)
±20V(23)
±16V(1)
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45nC @ 10V(1)
150nC @ 10V(1)
36nC @ 10V(1)
52nC @ 10V(1)
120nC @ 10V(3)
95nC @ 10V(2)
51nC @ 10V(8)
58nC @ 10V(2)
130nC @ 10V(2)
75nC @ 10V(2)
140nC @ 10V(3)
335nC @ 10V(1)
190nC @ 10V(2)
83nC @ 10V(1)
96nC @ 5V(3)
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160 毫欧 @ 500mA，10V(1)
2.8 毫欧 @ 20A，10V(1)
1.4 欧姆 @ 3A，10V(1)
400 毫欧 @ 8.4A，10V(1)
85 毫欧 @ 18A，10V(1)
2 欧姆 @ 3.6A，10V(2)
500 毫欧 @ 3A，0V(3)
55 毫欧 @ 25A，10V(2)
950 毫欧 @ 7A，10V(1)
8.7 毫欧 @ 10A，10V(1)
36 毫欧 @ 16A，10V(3)
75 毫欧 @ 18A，10V(1)
1.4 欧姆 @ 3.5A，10V(1)
1.1 欧姆 @ 5A，10V(2)
7.4 毫欧 @ 30A，10V(1)
400 毫欧 @ 6.5A，10V(3)
850 毫欧 @ 500mA，10V(4)
20 毫欧 @ 60A，10V(1)
7.5 毫欧 @ 50A，10V(1)
220 毫欧 @ 9.8A，10V(1)
930 毫欧 @ 6A，10V(1)
重新选择
-(3)
10V(25)
4.5V，10V(3)
6V，10V(2)
重新选择
N 沟道(31)
P 沟道(2)
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12A（Tc）(6)
16A（Tc）(1)
10A（Tc）(2)
6A（Tc）(4)
40A（Tc）(1)
7A（Tc）(2)
50A（Tc）(1)
30A（Tc）(1)
36A（Tc）(1)
14A（Tc）(2)
70A（Tc）(1)
41A（Tc）(2)
57A（Tc）(1)
13A（Tc）(1)
6.1A（Tc）(2)
19.5A（Tc）(1)
5A（Ta），37A（Tc）(3)
102A（Tc）(1)
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2800pF @ 25V(33)
重新选择
-(30)
耗尽模式(3)
重新选择
-(3)
4V @ 250μA(9)
5V @ 250μA(5)
3V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(1)
3.5V @ 250μA(1)
5V @ 8mA(1)
5.5V @ 4mA(1)
4.5V @ 2.5mA(1)
4V @ 2.5mA(3)
2V @ 20μA(1)
5.5V @ 2.5mA(5)
2V @ 30μA(1)
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190W（Tc）(4)
140W（Tc）(2)
56W（Tc）(1)
71W（Tc）(1)
150W（Tc）(3)
120W（Tc）(1)
300W（Tc）(4)
240W（Tc）(2)
200W（Tc）(1)
230W（Tc）(2)
360W（Tc）(4)
180W（Tc）(4)
500W（Tc）(1)
55W（Tc）(1)
570W（Tc）(1)
3.75W（Ta），100W（Tc）(1)
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200V(2)
300V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP250PBF
仓库库存编号：
IRFP250PBF-ND
别名：*IRFP250PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50PBF
仓库库存编号：
IRFPG50PBF-ND
别名：*IRFPG50PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP6N50D2
仓库库存编号：
IXTP6N50D2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA6N50D2
仓库库存编号：
IXTA6N50D2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP150PBF
仓库库存编号：
IRFP150PBF-ND
别名：*IRFP150PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH14N100Q2
仓库库存编号：
IXFH14N100Q2-ND
别名：608166
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA06EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA06EP-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552
仓库库存编号：
FDB2552CT-ND
别名：FDB2552CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 37A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
FDP2552
仓库库存编号：
FDP2552FS-ND
别名：FDP2552-ND
FDP2552FS
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N50D2
仓库库存编号：
IXTH6N50D2-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80C_F109
仓库库存编号：
FQA10N80C_F109FS-ND
别名：FQA10N80C_F109-ND
FQA10N80C_F109FS
FQA10N80CF109
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 8TDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 71W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1
仓库库存编号：
IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT-ND
别名：IPZ40N04S5L2R8ATMA1CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH7N80
仓库库存编号：
IXFH7N80-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），37A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB2552_F085
仓库库存编号：
FDB2552_F085CT-ND
别名：FDB2552_F085CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-3P
型号：
IXFQ12N80P
仓库库存编号：
IXFQ12N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH16P20
仓库库存编号：
IXTH16P20-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 36A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH36P10
仓库库存编号：
IXTH36P10-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 360W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH12N80P
仓库库存编号：
IXFH12N80P-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 6A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 6A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH6N80A
仓库库存编号：
IXTH6N80A-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 102A（Tc） 570W（Tc） SMPD
型号：
MMIX1F160N30T
仓库库存编号：
MMIX1F160N30T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 6.1A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG50
仓库库存编号：
IRFPG50-ND
别名：*IRFPG50
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 14A（Tc） 190W（Tc） TO-247AD
型号：
IRFP450
仓库库存编号：
IRFP450X-ND
别名：IRFP450X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 180W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH13N50
仓库库存编号：
IXFH13N50-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 100V 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP150
仓库库存编号：
IRFP150-ND
别名：*IRFP150
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 800V 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P
型号：
FQA10N80C
仓库库存编号：
FQA10N80C-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2800pF @ 25V,
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