产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
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晶体管 - FET,MOSFET - 单
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制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs(最大值)
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
FET 类型
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
功率耗散(最大值)
漏源电压(Vdss)
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(2)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(4)
TO-220-3(4)
TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA(1)
ISOPLUS247?(1)
ISOPLUS220?(1)
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Nexperia USA Inc.(1)
Vishay Siliconix(1)
IXYS(5)
Infineon Technologies(6)
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表面贴装(6)
通孔(7)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(5)
-55°C ~ 175°C(TJ)(8)
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带卷(TR) (2)
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DPAK(1)
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TO-262(1)
ISOPLUS247?(1)
ISOPLUS220?(1)
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MOSFET(金属氧化物)(13)
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±30V(2)
±20V(8)
±15V(3)
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85nC @ 10V(2)
110nC @ 10V(1)
60nC @ 10V(1)
52nC @ 10V(3)
160nC @ 10V(6)
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16 毫欧 @ 30A,10V(1)
5 毫欧 @ 25A,10V(1)
13 毫欧 @ 43A,10V(6)
90 毫欧 @ 13A,10V(3)
250 毫欧 @ 15A,10V(2)
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10V(12)
4.5V,10V(1)
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N 沟道(10)
P 沟道(3)
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60A(Tc)(1)
26A(Tc)(3)
15A(Tc)(2)
75A(Tc)(2)
82A(Tc)(5)
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3820pF @ 25V(13)
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-(13)
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4V @ 250μA(6)
3V @ 250μA(1)
4.5V @ 250μA(3)
4V @ 1mA(1)
5V @ 4mA(2)
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150W(Tc)(4)
157W(Tc)(1)
230W(Tc)(6)
166W(Tc)(2)
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75V(6)
100V(4)
40V(1)
600V(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 82A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF2807PBF
仓库库存编号:
IRF2807PBF-ND
别名:*IRF2807PBF
SP001550978
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807STRLPBF
仓库库存编号:
IRF2807STRLPBFCT-ND
别名:IRF2807STRLPBFCT
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 157W(Tc) DPAK
型号:
BUK725R0-40C,118
仓库库存编号:
1727-4699-1-ND
别名:1727-4699-1
568-5847-1
568-5847-1-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP26P10T
仓库库存编号:
IXTP26P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-252
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-252
型号:
IXTY26P10T
仓库库存编号:
IXTY26P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 26A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA26P10T
仓库库存编号:
IXTA26P10T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 166W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR30N60P
仓库库存编号:
IXFR30N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
AUIRF2807
仓库库存编号:
AUIRF2807-ND
别名:SP001522572
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 166W(Tc) ISOPLUS220?
型号:
IXFC30N60P
仓库库存编号:
IXFC30N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 60A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
SUP60N10-16L-E3
仓库库存编号:
SUP60N10-16L-E3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807S
仓库库存编号:
IRF2807S-ND
别名:*IRF2807S
SP001550968
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF2807L
仓库库存编号:
IRF2807L-ND
别名:*IRF2807L
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 82A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
IRF2807STRL
仓库库存编号:
IRF2807STRL-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,规格:不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 3820pF @ 25V,
含铅
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