产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
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零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）(13)
TO-261-4，TO-261AA(4)
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(6)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(1)
TO-220-3 整包(1)
8-PowerSMD，扁平引线(1)
6-UDFN 裸露焊盘(2)
8-PowerWDFN(1)
PowerPAK? 1212-8(2)
8-SMD，鸥翼型(1)
TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD(1)
PowerPAK? SO-8(18)
TO-251-3 短截引线，IPak(1)
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Diodes Incorporated(3)
STMicroelectronics(2)
Fairchild/ON Semiconductor(6)
Vishay Siliconix(31)
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(12)
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表面贴装(52)
通孔(2)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(43)
-65°C ~ 150°C（TJ）(1)
-55°C ~ 175°C（TJ）(7)
-50°C ~ 150°C（TJ）(3)
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-(18)
STripFET?? II(2)
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PowerTrench?(4)
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剪切带（CT） (37)
带卷（TR） (13)
管件 (2)
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8-SO(13)
SOT-223(2)
8-DFN（3x3）(1)
8-SOIC(1)
U-DFN2020-6（E 类）(1)
TO-252，（D-Pak）(7)
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PowerPAK? 1212-8(2)
8-DFN-EP（3.3x3.3）(1)
PowerPAK? SO-8(18)
TO-263（D2Pak）(1)
6-DFN-EP（2x2）(1)
TO-251A(1)
TO-220-3F(1)
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MOSFET（金属氧化物）(54)
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±20V(45)
±16V(2)
±25V(7)
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39nC @ 10V(1)
13nC @ 10V(1)
25nC @ 10V(2)
18nC @ 10V(1)
30nC @ 10V(1)
22nC @ 10V(4)
12nC @ 10V(4)
15nC @ 4.5V(2)
36nC @ 10V(2)
23nC @ 10V(1)
34nC @ 10V(2)
60nC @ 10V(1)
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63nC @ 10V(1)
49nC @ 10V(1)
48nC @ 10V(1)
90nC @ 10V(2)
51nC @ 10V(1)
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58nC @ 10V(2)
67nC @ 10V(1)
68nC @ 10V(1)
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9nC @ 5V(2)
153nC @ 10V(2)
3.61nC @ 10V(2)
71nC @ 10V(3)
122nC @ 10V(4)
19.5nC @ 10V(1)
3.77nC @ 10V(1)
7.6nC @ 10V(1)
29.5nC @ 10V(2)
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66 毫欧 @ 5A，10V(1)
9.5 毫欧 @ 12.5A，10V(2)
24 毫欧 @ 20A，10V(2)
4 欧姆 @ 300mA，10V(1)
14 毫欧 @ 15A，10V(2)
5.5 毫欧 @ 20A，10V(1)
4.8 毫欧 @ 20A，10V(3)
65 毫欧 @ 5A，10V(1)
8.7 毫欧 @ 20A，10V(2)
10.8 毫欧 @ 20A，10V(2)
8.8 毫欧 @ 15A，10V(2)
100 毫欧 @ 1.5A，10V(2)
5.9 毫欧 @ 20A，10V(1)
6.2 毫欧 @ 20A，10V(1)
23 毫欧 @ 10A，10V(1)
21 毫欧 @ 8.4A，10V(2)
160 毫欧 @ 3.4A，10V(2)
130 毫欧 @ 1A，10V(2)
3.8 毫欧 @ 20A，10V(2)
23.5 毫欧 @ 10A，10V(1)
85 毫欧 @ 10A，10V(4)
11 毫欧 @ 14A，10V(1)
160 毫欧 @ 2.8A，10V(1)
11.4 毫欧 @ 14.4A，10V(1)
9.5 毫欧 @ 13A，10V(1)
72 毫欧 @ 4.5A，10V(1)
23 毫欧 @ 15A，10V(1)
42 毫欧 @ 26A，10V(1)
10 毫欧 @ 16.1A，10V(1)
140 毫欧 @ 4.5A，10V(1)
6.5 毫欧 @ 13A，10V(2)
5.5 毫欧 @ 23.8A，10V(2)
30.5 毫欧 @ 10A，10V(1)
13 毫欧 @ 12A，20V(2)
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10V(2)
5V，10V(5)
4.5V，10V(46)
2.7V，10V(1)
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N 沟道(43)
P 沟道(11)
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12A（Tc）(2)
24A（Tc）(2)
60A（Tc）(7)
35A（Tc）(2)
20A（Tc）(1)
4A（Tc）(2)
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5A（Ta），12.5A（Tc）(1)
12A（Ta）(2)
6.5A（Ta），30A（Tc）(2)
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26A（Tc）(1)
50A（Tc）(1)
3.4A（Ta）(2)
18.4A（Tc）(1)
6.8A（Tc）(2)
5.6A（Tc）(1)
27.5A（Tc）(1)
22A（Tc）(1)
3A（Ta），19A（Tc）(3)
11.1A（Tc）(1)
17.3A（Ta）(1)
550mA（Ta）(1)
27.8A（Tc）(1)
10.3A（Tc）(1)
25A（Ta），50A（Tc）(1)
2.5A（Ta），11A（Tc）(1)
3A（Ta），12A（Tc）(1)
11.5A（Ta），29.5A（Tc）(1)
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-(2)
540pF @ 50V(1)
415pF @ 50V(2)
2600pF @ 15V(2)
350pF @ 10V(2)
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1630pF @ 50V(1)
1970pF @ 50V(1)
1930pF @ 50V(1)
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1165pF @ 75V(4)
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1760pF @ 75V(1)
690pF @ 50V(1)
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580pF @ 50V(1)
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-(54)
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2.8V @ 250μA(54)
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3.3W（Tc）(2)
1.4W（Ta）(3)
3.1W（Ta），20.8W（Tc）(1)
3.1W（Ta）(2)
3W（Ta）(1)
2.4W（Ta），5W（Tc）(2)
2.5W（Ta）(2)
2.5W（Ta），52W（Tc）(2)
3.5W（Ta），7.8W（Tc）(3)
5W（Ta），62.5W（Tc）(2)
3W（Ta），6W（Tc）(1)
5.4W（Ta），83W（Tc）(2)
6.25W（Ta），104W（Tc）(3)
63W（Tc）(1)
2.8W（Ta）(1)
14.9W（Tc）(2)
2.5W（Ta），83W（Tc）(2)
5W（Ta），35.7W（Tc）(2)
104W（Tc）(1)
5W（Ta），56.8W（Tc）(2)
2.1W（Ta），45W（Tc）(1)
10.42W（Tc）(1)
2.5W（Ta），5.7W（Tc）(1)
630mW（Ta）(1)
3.8W（Ta），52.1W（Tc）(2)
4.1W（Ta），29.7W（Tc）(1)
5W（Ta），44.5W（Tc）(2)
6.25W（Ta），83W（Tc）(1)
4.2W（Ta），35.7W（Tc）(1)
3.1W（Ta），6.9W（Tc）(1)
2.1W（Ta），33W（Tc）(1)
2.1W（Ta），83W（Tc）(1)
5W（Ta），56W（Tc）(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 5A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Ta），12.5A（Tc） 3.1W（Ta），20.8W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7296
仓库库存编号：
785-1731-1-ND
别名：785-1731-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），30A（Tc） 2.5W（Ta），52W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD4130
仓库库存编号：
785-1216-1-ND
别名：785-1216-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4
型号：
NDT452AP
仓库库存编号：
NDT452APCT-ND
别名：NDT452APCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR876ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
型号：
SI4190ADY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR880DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR880DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR880DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR826DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR826DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR826DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4178DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4178DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4178DY-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD1600N10ALZ
仓库库存编号：
FDD1600N10ALZCT-ND
别名：FDD1600N10ALZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.5A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27.5A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456CDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456CDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456CDP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 19A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta），19A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD256
仓库库存编号：
785-1476-1-ND
别名：785-1476-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4456DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4456DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4456DY-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06L
仓库库存编号：
497-3177-1-ND
别名：497-3177-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Tc） 10.42W（Tc） SOT-223-4
型号：
FDT1600N10ALZ
仓库库存编号：
FDT1600N10ALZCT-ND
别名：FDT1600N10ALZCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 300V .55A 6UDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 550mA（Ta） 630mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
型号：
DMN30H4D0LFDE-7
仓库库存编号：
DMN30H4D0LFDE-7DICT-ND
别名：DMN30H4D0LFDE-7DICT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-5L
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Tc） 14.9W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FDD1600N10ALZD
仓库库存编号：
FDD1600N10ALZDCT-ND
别名：FDD1600N10ALZDCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52.1W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7129DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7129DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7129DN-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 27.8A（Tc） 5W（Ta），35.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7456DDP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7456DDP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7456DDP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），44.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR878ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR878ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR878ADP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），44.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR878DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR878DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR878DP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
DI9400T
仓库库存编号：
DI9400CT-ND
别名：DI9400
DI9400CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR882ADP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR882ADP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR882ADP-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
型号：
AON2290
仓库库存编号：
785-1606-1-ND
别名：785-1606-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF06L
仓库库存编号：
497-10315-1-ND
别名：497-10315-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA,
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