产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
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封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(4)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(14)
TO-220-3(13)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(1)
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Nexperia USA Inc.(22)
Toshiba Semiconductor and Storage(2)
Vishay Siliconix(2)
NXP USA Inc.(6)
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表面贴装(18)
通孔(14)
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-55°C ~ 175°C（TJ）(30)
175°C（TJ）(2)
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TrenchFET?(1)
TrenchMOS??(16)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(12)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
U-MOSVIII-H(2)
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剪切带（CT） (15)
带卷（TR） (3)
管件 (14)
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在售(12)
已不再提供(1)
上次购买时间(4)
过期(15)
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DPAK(2)
D2PAK(12)
TO-220AB(13)
TO-252-3(1)
DPAK+(1)
TO-263（D2Pak）(2)
I2PAK(1)
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MOSFET（金属氧化物）(32)
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±20V(20)
±15V(12)
重新选择
110nC @ 10V(1)
36nC @ 10V(4)
37nC @ 10V(3)
38nC @ 10V(2)
40nC @ 10V(3)
30nC @ 5V(1)
62nC @ 10V(1)
60nC @ 10V(1)
49nC @ 10V(1)
32nC @ 5V(4)
81nC @ 10V(1)
31nC @ 5V(2)
145nC @ 10V(1)
35nC @ 5V(2)
36.6nC @ 10V(2)
33nC @ 5V(2)
32.7nC @ 5V(1)
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7 毫欧 @ 25A，10V(5)
11 毫欧 @ 25A，10V(3)
6.5 毫欧 @ 27.5A，10V(1)
8 毫欧 @ 25A，10V(4)
27 毫欧 @ 25A，10V(2)
10 毫欧 @ 25A，10V(2)
5 毫欧 @ 25A，10V(3)
16 毫欧 @ 25A，10V(1)
14 毫欧 @ 25A，10V(2)
13 毫欧 @ 25A，10V(3)
26 毫欧 @ 25A，10V(2)
4.5 毫欧 @ 25A，10V(1)
6 毫欧 @ 30A，10V(1)
3.3 毫欧 @ 45A，10V(1)
2.7 毫欧 @ 30A，10V(1)
重新选择
10V(19)
5V，10V(4)
4.5V，10V(9)
重新选择
N 沟道(32)
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110A（Tc）(1)
46A（Tc）(2)
100A（Tc）(1)
75A（Tc）(21)
55A（Ta）(1)
90A（Ta）(1)
49A（Tc）(2)
73A（Tc）(1)
67A（Tc）(2)
重新选择
3280pF @ 10V(1)
3600pF @ 25V(2)
3026pF @ 25V(1)
2700pF @ 25V(1)
3820pF @ 25V(1)
4360pF @ 25V(2)
2891pF @ 25V(2)
2689pF @ 25V(2)
4034pF @ 25V(2)
3760pF @ 25V(1)
1985pF @ 25V(1)
2020pF @ 25V(2)
5400pF @ 10V(1)
2644pF @ 25V(2)
2427pF @ 25V(2)
4440pF @ 25V(1)
3693pF @ 25V(2)
3373pF @ 25V(2)
2604pF @ 25V(3)
7910pF @ 25V(1)
重新选择
-(32)
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2.5V @ 250μA(1)
2V @ 1mA(12)
4V @ 1mA(16)
3.5V @ 250μA(1)
4V @ 500μA(1)
2.5V @ 500μA(1)
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157W（Tc）(32)
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75V(6)
100V(5)
40V(9)
30V(5)
60V(1)
55V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 157W（Tc） DPAK+
型号：
TK55S10N1,LQ
仓库库存编号：
TK55S10N1LQCT-ND
别名：TK55S10N1LQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 73A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
PHP79NQ08LT,127
仓库库存编号：
1727-4651-ND
别名：1727-4651
568-5768
568-5768-5
568-5768-5-ND
568-5768-ND
934059363127
PHP79NQ08LT
PHP79NQ08LT,127-ND
PHP79NQ08LT-ND
PHP79NQ08LT127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 49A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7626-100B,118
仓库库存编号：
1727-4705-1-ND
别名：1727-4705-1
568-5855-1
568-5855-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7608-40B,118
仓库库存编号：
1727-4702-1-ND
别名：1727-4702-1
568-5850-1
568-5850-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9609-40B,118
仓库库存编号：
1727-4712-1-ND
别名：1727-4712-1
568-5862-1
568-5862-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 67A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9616-75B,118
仓库库存编号：
1727-4714-1-ND
别名：1727-4714-1
568-5864-1
568-5864-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
型号：
BUK724R5-30C,118
仓库库存编号：
1727-4698-1-ND
别名：1727-4698-1
568-5846-1
568-5846-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
含铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 90A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 157W（Tc） TO-252-3
型号：
TK90S06N1L,LQ
仓库库存编号：
TK90S06N1LLQCT-ND
别名：TK90S06N1LLQCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7613-75B,118
仓库库存编号：
1727-4704-1-ND
别名：1727-4704-1
568-5852-1
568-5852-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7607-30B,118
仓库库存编号：
1727-4700-1-ND
别名：1727-4700-1
568-5848-1
568-5848-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9629-100B,118
仓库库存编号：
1727-4716-1-ND
别名：1727-4716-1
568-5866-1
568-5866-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9612-55B,118
仓库库存编号：
1727-4713-1-ND
别名：1727-4713-1
568-5863-1
568-5863-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9607-30B,118
仓库库存编号：
1727-4710-1-ND
别名：1727-4710-1
568-5860-1
568-5860-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7611-55B,118
仓库库存编号：
1727-4703-1-ND
别名：1727-4703-1
568-5851-1
568-5851-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
型号：
BUK725R0-40C,118
仓库库存编号：
1727-4699-1-ND
别名：1727-4699-1
568-5847-1
568-5847-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM100N04-2M7_GE3
仓库库存编号：
SQM100N04-2M7_GE3-ND
别名：SQM100N04-2M7-GE3
SQM100N04-2M7-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 157W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
SQM110N05-06L_GE3
仓库库存编号：
SQM110N05-06L_GE3-ND
别名：SQM110N05-06L-GE3
SQM110N05-06L-GE3-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9507-30B,127
仓库库存编号：
568-5725-5-ND
别名：568-5725
568-5725-5
568-5725-ND
934057695127
BUK9507-30B
BUK9507-30B,127-ND
BUK9507-30B-ND
BUK950730B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9512-55B,127
仓库库存编号：
568-5729-5-ND
别名：568-5729
568-5729-5
568-5729-ND
934057697127
BUK9512-55B
BUK9512-55B,127-ND
BUK9512-55B-ND
BUK951255B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK9509-40B,127
仓库库存编号：
568-5727-5-ND
别名：568-5727
568-5727-5
568-5727-ND
934057696127
BUK9509-40B
BUK9509-40B,127-ND
BUK9509-40B-ND
BUK950940B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7513-75B,127
仓库库存编号：
568-5719-5-ND
别名：568-5719
568-5719-5
568-5719-ND
934057746127
BUK7513-75B
BUK7513-75B,127-ND
BUK7513-75B-ND
BUK751375B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
型号：
PHB101NQ04T,118
仓库库存编号：
568-2182-1-ND
别名：568-2182-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 30V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7507-30B,127
仓库库存编号：
568-5715-5-ND
别名：568-5715
568-5715-5
568-5715-ND
934057688127
BUK7507-30B
BUK7507-30B,127-ND
BUK7507-30B-ND
BUK750730B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7508-40B,127
仓库库存编号：
568-5717-5-ND
别名：568-5717
568-5717-5
568-5717-ND
934057693127
BUK7508-40B
BUK7508-40B,127-ND
BUK7508-40B-ND
BUK750840B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
型号：
BUK7511-55B,127
仓库库存编号：
568-5718-5-ND
别名：568-5718
568-5718-5
568-5718-ND
934057694127
BUK7511-55B
BUK7511-55B,127-ND
BUK7511-55B-ND
BUK751155B127
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 157W（Tc）,
无铅
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