产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(49)
TO-220-3(44)
TO-247-3(15)
TO-3P-3，SC-65-3(2)
TO-263-7（直引线）(1)
TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB(9)
TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA(13)
ISOPLUS247?(3)
ISOPLUS220?(9)
重新选择
STMicroelectronics(5)
Fairchild/ON Semiconductor(7)
Nexperia USA Inc.(17)
Toshiba Semiconductor and Storage(8)
Vishay Siliconix(10)
IXYS(23)
Infineon Technologies(62)
NXP USA Inc.(14)
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表面贴装(58)
通孔(88)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(16)
-55°C ~ 175°C（TJ）(120)
150°C（TJ）(8)
-40°C ~ 150°C（TJ）(1)
-55°C ~ 200°C（TJ）(1)
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-(8)
SuperMESH??(5)
TrenchMOS??(27)
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?(4)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(2)
UltraFET??(7)
DTMOSIV(6)
DTMOSIV-H(2)
TrenchMV??(9)
HiPerFET??(8)
HiPerFET?，PolarP2?(3)
HEXFET?(54)
HEXFET?，StrongIRFET?(8)
MegaMOS??(1)
ThunderFET?(2)
重新选择
剪切带（CT） (20)
散装 (1)
带卷（TR） (19)
管件 (103)
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在售(71)
已不再提供(8)
不可用于新设计(2)
上次购买时间(2)
过期(63)
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D2PAK(37)
TO-220AB(42)
TO-220(2)
TO-247-3(9)
TO-247(5)
D2PAK（TO-263AB）(5)
TO-263AB(1)
TO-263（D2Pak）(2)
TO-247AC(1)
D2PAK（TO-263）(1)
TO-263（IXTA）(4)
D2PAK（7-Lead）(5)
TO-262(13)
ISOPLUS247?(3)
TO-3P（N）(2)
ISOPLUS220?(9)
TO-263-7（IXTA..7）(3)
TO-263CA-7(1)
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MOSFET（金属氧化物）(146)
重新选择
±30V(17)
±20V(112)
±16V(7)
±10V(6)
±15V(3)
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-(13)
210nC @ 10V(4)
180nC @ 10V(14)
110nC @ 10V(6)
200nC @ 10V(1)
60nC @ 10V(3)
105nC @ 10V(2)
86nC @ 10V(3)
65nC @ 10V(2)
32nC @ 10V(2)
120nC @ 10V(12)
126nC @ 10V(1)
48nC @ 10V(2)
90nC @ 10V(1)
135nC @ 10V(3)
145nC @ 10V(1)
67nC @ 10V(3)
110nC @ 5V(7)
260nC @ 10V(2)
130nC @ 10V(1)
165nC @ 10V(2)
160nC @ 10V(8)
75nC @ 10V(1)
140nC @ 10V(2)
155nC @ 10V(2)
113nC @ 10V(1)
152nC @ 10V(1)
162nC @ 10V(1)
225nC @ 10V(8)
156nC @ 10V(2)
180nC @ 20V(1)
69nC @ 10V(3)
32.2nC @ 10V(2)
230nC @ 10V(7)
168nC @ 10V(1)
170nC @ 10V(3)
125nC @ 10V(2)
122.8nC @ 10V(2)
175nC @ 20V(6)
86nC @ 4.5V(1)
103nC @ 5V(2)
113.1nC @ 10V(2)
97nC @ 5V(1)
127.3nC @ 10V(2)
重新选择
-(2)
7 毫欧 @ 25A，10V(3)
2.8 毫欧 @ 25A，10V(2)
11 毫欧 @ 25A，10V(3)
15 毫欧 @ 25A，10V(1)
11 毫欧 @ 40A，10V(2)
3.1 毫欧 @ 75A，10V(7)
900 毫欧 @ 5A，10V(1)
1.38 欧姆 @ 4.15A，10V(1)
200 毫欧 @ 13A，10V(1)
20 毫欧 @ 37.5A，10V(1)
4 毫欧 @ 25A，10V(1)
5 毫欧 @ 25A，10V(4)
77 毫欧 @ 15A，10V(2)
3.6 毫欧 @ 25A，10V(1)
14 毫欧 @ 25A，10V(3)
4.2 毫欧 @ 75A，10V(7)
2 毫欧 @ 100A，10V(3)
3.3 毫欧 @ 100A，10V(4)
33 毫欧 @ 30A，10V(1)
99 毫欧 @ 15.4A，10V(1)
4 毫欧 @ 100A，10V(1)
5.8 毫欧 @ 25A，10V(2)
13 毫欧 @ 43A，10V(6)
9 毫欧 @ 58A，10V(6)
55 毫欧 @ 25A，10V(2)
14 毫欧 @ 54A，10V(2)
88 毫欧 @ 9.4A，10V(2)
5.8 毫欧 @ 75A，10V(5)
4.9 毫欧 @ 75A，10V(11)
8.5 毫欧 @ 25A，10V(6)
9 毫欧 @ 25A，10V(4)
4.6 毫欧 @ 25A，10V(2)
110 毫欧 @ 13.8A，10V(1)
650 毫欧 @ 6A，10V(1)
14 毫欧 @ 75A，10V(1)
6 毫欧 @ 30A，10V(1)
230 毫欧 @ 12A，10V(1)
88 毫欧 @ 15.4A，10V(4)
1.8 毫欧 @ 100A，10V(5)
42 毫欧 @ 43A，10V(6)
360 毫欧 @ 8A，10V(1)
42 毫欧 @ 20A，10V(2)
14.4 毫欧 @ 25A，10V(2)
880 毫欧 @ 5.5A，10V(1)
1.95 毫欧 @ 60A，10V(1)
650 毫欧 @ 500mA，10V(1)
8.8 毫欧 @ 25A，10V(2)
8.9 毫欧 @ 30A，10V(1)
460 毫欧 @ 12A，10V(1)
640 毫欧 @ 10A，10V(1)
1.04 欧姆 @ 8A，10V(1)
6.4 毫欧 @ 75A，10V(1)
4.9 毫欧 @ 88A，10V(7)
12.5 毫欧 @ 40A，10V(1)
230 毫欧 @ 10.5A，10V(1)
重新选择
10V(113)
5V，10V(4)
4.5V，10V(18)
6V，10V(8)
7.5V，10V(2)
重新选择
N 沟道(145)
P 沟道(1)
重新选择
12A（Tc）(1)
16A（Tc）(1)
60A（Tc）(1)
9A（Tc）(1)
10A（Tc）(1)
110A（Tc）(4)
120A（Tc）(21)
11A（Tc）(2)
160A（Tc）(1)
21A（Tc）(2)
23A（Tc）(1)
43A（Tc）(6)
75A（Tc）(42)
260A（Tc）(1)
80A（Tc）(6)
30.8A（Ta）(7)
8.3A（Tc）(1)
170A（Tc）(1)
64A（Tc）(2)
150A（Tc）(3)
70A（Tc）(2)
41A（Tc）(2)
72A（Tc）(1)
13A（Tc）(2)
32.7A（Tc）(2)
75A（Tj）(1)
195A（Tc）(8)
172A（Tc）(1)
88A（Tc）(3)
98A（Tc）(2)
82A（Tc）(5)
97A（Tc）(6)
27.6A（Ta）(1)
173A（Tc）(3)
45.1A（Tc）(2)
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-(2)
5200pF @ 25V(1)
4800pF @ 25V(3)
4300pF @ 25V(1)
3500pF @ 25V(3)
3000pF @ 300V(8)
9200pF @ 25V(2)
4200pF @ 25V(3)
3080pF @ 25V(3)
4500pF @ 25V(3)
6900pF @ 25V(1)
1870pF @ 25V(2)
8300pF @ 25V(1)
3040pF @ 25V(3)
4520pF @ 50V(7)
2800pF @ 25V(2)
6000pF @ 25V(3)
7020pF @ 25V(4)
6500pF @ 25V(2)
1770pF @ 25V(2)
5080pF @ 25V(7)
3820pF @ 25V(6)
7330pF @ 25V(8)
4820pF @ 50V(6)
1950pF @ 100V(2)
8250pF @ 25V(4)
7200pF @ 25V(1)
4750pF @ 50V(6)
4780pF @ 25V(11)
5260pF @ 25V(2)
8600pF @ 25V(4)
6760pF @ 25V(2)
3140pF @ 25V(3)
2730pF @ 25V(6)
7300pF @ 25V(1)
2750pF @ 25V(1)
6950pF @ 25V(1)
8840pF @ 25V(2)
8420pF @ 15V(1)
3480pF @ 25V(1)
6495pF @ 25V(1)
4860pF @ 25V(2)
5360pF @ 25V(7)
3540pF @ 25V(1)
6000pF @ 20V(1)
6631pF @ 25V(2)
重新选择
-(140)
超级结(6)
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4V @ 250μA(32)
2.5V @ 250μA(1)
4.5V @ 100μA(6)
5V @ 100μA(2)
2V @ 1mA(11)
3V @ 1mA(2)
4V @ 1mA(18)
3.5V @ 250μA(1)
2.7V @ 250μA(7)
3.5V @ 1.5mA(2)
4V @ 4mA(7)
4.5V @ 4mA(1)
4V @ 100μA(8)
2.35V @ 150μA(1)
4V @ 150μA(30)
3.7V @ 150μA(4)
4.5V @ 1.5mA(1)
6.5V @ 1mA(3)
3.9V @ 150μA(4)
3.5V @ 1.6mA(1)
3.7V @ 1.5mA(4)
重新选择
230W（Tc）(146)
重新选择
150V(8)
80V(2)
200V(5)
75V(26)
36V(1)
100V(18)
40V(16)
30V(7)
60V(16)
900V(2)
600V(8)
800V(2)
650V(1)
1000V(2)
500V(3)
1200V(1)
85V(4)
55V(23)
950V(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 10A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
STW12NK95Z
仓库库存编号：
497-5167-5-ND
别名：497-5167-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8.3A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
STW11NK100Z
仓库库存编号：
497-3255-5-ND
别名：497-3255-5
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32.7A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
PHB33NQ20T,118
仓库库存编号：
1727-4765-1-ND
别名：1727-4765-1
568-5942-1
568-5942-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN004-60B,118
仓库库存编号：
1727-5267-1-ND
别名：1727-5267-1
568-6592-1
568-6592-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP80N10T
仓库库存编号：
IXTP80N10T-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 60V 172A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 172A（Tc） 230W（Tc） TO-247
型号：
IRFP7537PBF
仓库库存编号：
IRFP7537PBF-ND
别名：SP001564970
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK31N60W5,S1VF
仓库库存编号：
TK31N60W5S1VF-ND
别名：TK31N60W5,S1VF(S
TK31N60W5,S1VF-ND
TK31N60W5S1VF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRL1404ZSTRLPBF
仓库库存编号：
IRL1404ZSTRLPBFCT-ND
别名：IRL1404ZSTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 82A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 82A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF2807PBF
仓库库存编号：
IRF2807PBF-ND
别名：*IRF2807PBF
SP001550978
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 195A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB7437PBF
仓库库存编号：
IRFB7437PBF-ND
别名：SP001556080
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4410ZPBF
仓库库存编号：
IRFB4410ZPBF-ND
别名：SP001564008
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 41A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 41A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP150PBF
仓库库存编号：
IRFP150PBF-ND
别名：*IRFP150PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 230W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP054PBF
仓库库存编号：
IRFP054PBF-ND
别名：*IRFP054PBF
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220
型号：
TK31E60X,S1X
仓库库存编号：
TK31E60XS1X-ND
别名：TK31E60X,S1X(S
TK31E60XS1X
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK31N60X,S1F
仓库库存编号：
TK31N60XS1F-ND
别名：TK31N60X,S1F(S
TK31N60XS1F
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS3306TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS3306TRLPBFCT-ND
别名：IRFS3306TRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3306GPBF
仓库库存编号：
IRFB3306GPBF-ND
别名：SP001555952
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB3307ZPBF
仓库库存编号：
IRFB3307ZPBF-ND
别名：SP001564038
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF1405ZPBF
仓库库存编号：
IRF1405ZPBF-ND
别名：*IRF1405ZPBF
64-0097PBF
64-0097PBF-ND
SP001563230
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4410ZPBF
仓库库存编号：
IRFSL4410ZPBF-ND
别名：SP001557638
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
PSMN008-75B,118
仓库库存编号：
1727-4770-1-ND
别名：1727-4770-1
568-5948-1
568-5948-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
BUK7609-75A,118
仓库库存编号：
1727-7163-1-ND
别名：1727-7163-1
568-9647-1
568-9647-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 27.6A（Ta） 230W（Tc） TO-247
型号：
TK28N65W,S1F
仓库库存编号：
TK28N65WS1F-ND
别名：TK28N65W,S1F(S
TK28N65WS1F
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
BUK9605-30A,118
仓库库存编号：
1727-7187-1-ND
别名：1727-7187-1
568-9673-1
568-9673-1-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 97A（Tc） 230W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4410ZTRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4410ZTRLPBFCT-ND
别名：IRFS4410ZTRLPBFCT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 230W（Tc）,
无铅
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