产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
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晶体管 - FET，MOSFET - 单
规格选型
封装/外壳
制造商
安装类型
工作温度
系列
包装
零件状态
供应商器件封装
技术
Vgs（最大值）
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
FET 类型
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
FET 功能
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
功率耗散（最大值）
漏源电压（Vdss）
TO-261-4，TO-261AA(8)
6-TSSOP，SC-88，SOT-363(4)
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6(2)
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STMicroelectronics(8)
Vishay Siliconix(6)
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表面贴装(14)
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-55°C ~ 150°C（TJ）(10)
-55°C ~ 175°C（TJ）(4)
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SuperMESH??(2)
STripFET?? II(6)
TrenchFET?(5)
汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?(1)
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剪切带（CT） (14)
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在售(12)
过期(2)
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SOT-223(8)
6-TSOP(2)
SC-70-6（SOT-363）(3)
SOT-363，SC70(1)
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MOSFET（金属氧化物）(14)
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±30V(2)
±20V(6)
±16V(3)
±8V(1)
±12V(2)
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6.9nC @ 10V(1)
14nC @ 10V(1)
10nC @ 10V(1)
13nC @ 10V(1)
9nC @ 10V(1)
5.2nC @ 4.5V(1)
5.4nC @ 4.5V(1)
12nC @ 10V(1)
45nC @ 8V(1)
4nC @ 4.5V(1)
0.9nC @ 10V(1)
9nC @ 5V(2)
6.6nC @ 4.5V(1)
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15 欧姆 @ 400mA，10V(1)
260 毫欧 @ 1.2A，10V(1)
8.5 欧姆 @ 500mA，10V(1)
50 毫欧 @ 2A，10V(1)
38 毫欧 @ 5.2A，4.5V(1)
1.5 欧姆 @ 500mA，10V(1)
216 毫欧 @ 2.2A，10V(1)
65 毫欧 @ 3.8A，4.5V(1)
100 毫欧 @ 1.5A，10V(3)
290 毫欧 @ 2A，10V(1)
65 毫欧 @ 4.2A，4.5V(1)
140 毫欧 @ 1.2A，10V(1)
重新选择
10V(4)
5V，10V(4)
4.5V，10V(3)
1.8V，4.5V(1)
2.5V，4.5V(2)
重新选择
N 沟道(11)
P 沟道(3)
重新选择
300mA（Tc）(1)
2.4A（Tc）(1)
400mA（Tc）(1)
1A（Tc）(1)
6.5A（Tc）(1)
4A（Tc）(3)
6A（Tc）(1)
1.7A（Tc）(1)
2.9A（Tc）(1)
1.6A（Tc）(2)
2.8A（Tc）(1)
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94pF @ 25V(1)
280pF @ 25V(1)
156pF @ 25V(1)
330pF @ 25V(1)
1300pF @ 10V(1)
150pF @ 25V(1)
350pF @ 30V(1)
315pF @ 25V(1)
355pF @ 25V(1)
340pF @ 25V(2)
610pF @ 25V(1)
450pF @ 15V(1)
215pF @ 25V(1)
重新选择
-(14)
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4.5V @ 50μA(1)
4V @ 250μA(2)
3.7V @ 250μA(1)
2.5V @ 250μA(2)
1V @ 250μA(2)
1.6V @ 250μA(2)
2.8V @ 250μA(2)
3V @ 250μA(2)
重新选择
3.3W（Tc）(14)
重新选择
20V(1)
200V(1)
100V(1)
30V(3)
60V(6)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN1NK60Z
仓库库存编号：
497-3523-1-ND
别名：497-3523-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN2NF10
仓库库存编号：
497-8023-1-ND
别名：497-8023-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 400mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN1HNK60
仓库库存编号：
497-4668-1-ND
别名：497-4668-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF03L
仓库库存编号：
497-4525-1-ND
别名：497-4525-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF20L
仓库库存编号：
497-10779-1-ND
别名：497-10779-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1421EDH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1421EDH-T1_GE3CT-ND
别名：SQ1421EDH-T1_GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT
SQ1421EEH-T1-GE3CT-ND
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-363，SC70
型号：
SQ1470AEH-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ1470AEH-T1_GE3CT-ND
别名：SQ1470AEH-T1_GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3433CDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3433CDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3433CDV-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06L
仓库库存编号：
497-3177-1-ND
别名：497-3177-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.9A（Tc） 3.3W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3459BDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3459BDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3459BDV-T1-E3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN3NF06
仓库库存编号：
497-4764-1-ND
别名：497-4764-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
型号：
STN4NF06L
仓库库存编号：
497-10315-1-ND
别名：497-10315-1
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1420EEH-T1-GE3
仓库库存编号：
SQ1420EEH-T1-GE3CT-ND
别名：SQ1420EEH-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SQ1470EH-T1-GE3
仓库库存编号：
SQ1470EH-T1-GE3CT-ND
别名：SQ1470EH-T1-GE3CT
产品分类：晶体管 - FET，MOSFET - 单,规格：功率耗散（最大值） 3.3W（Tc）,
无铅
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