产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
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晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
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供应商器件封装
输入类型
反向恢复时间（trr）
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）
25°C 时 Td（开/关）值
栅极电荷
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63(1)
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB(2)
TO-220-3(2)
TO-220-3 整包(2)
TO-247-3(14)
TO-3(1)
TO-3P-3，SC-65-3(8)
TO-264-3，TO-264AA(2)
24-PowerSMD，21 引线(1)
ISOPLUS247?(2)
TO-264-3，TO-264AA 变异型(2)
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STMicroelectronics(11)
IXYS(13)
Renesas Electronics America(6)
Global Power Technologies Group(1)
Infineon Technologies(6)
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表面贴装(4)
通孔(33)
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-(2)
-55°C ~ 150°C（TJ）(15)
-55°C ~ 175°C（TJ）(11)
150°C（TJ）(6)
-40°C ~ 150°C（TJ）(3)
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-(14)
M(5)
GenX3?，XPT?(6)
TrenchStop?(3)
HB(2)
GenX3??(7)
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剪切带（CT） (2)
管件 (31)
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在售(32)
不可用于新设计(2)
过期(3)
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DPAK(1)
D2PAK(2)
TO-220(2)
TO-220FP(2)
TO-247(1)
TO-247AC(2)
TO-3PN(1)
TO-247AD(1)
TO-3P(8)
PLUS247?-3(5)
24-SMPD(1)
TO-264（IXGK）(2)
PG-TO247-3(3)
TO-247 长引线(1)
ISOPLUS247?(3)
TO-264（IXXK）(2)
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标准(37)
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140ns(37)
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600V(20)
650V(11)
1200V(6)
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200W(2)
400W(2)
260W(1)
347W(1)
110W(1)
180W(1)
38W(1)
283W(1)
258W(4)
88W(3)
390W(2)
540W(5)
113W(1)
260.4W(1)
328.9W(1)
178W(1)
695W(4)
178.5W(1)
235.8W(1)
297.6W(1)
201.6W(1)
24.2W(1)
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30A(3)
40A(4)
120A(1)
80A(2)
200A(2)
50A(1)
12A(4)
60A(7)
85A(1)
75A(7)
90A(1)
170A(2)
145A(2)
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-(1)
400V，30A，10 欧姆，15V(6)
400V，30A，5 欧姆，15V(5)
600V，40A，10 欧姆，15V(2)
600V，15A，56 欧姆，15V(2)
400V，40A，5 欧姆，15V(1)
400V，6A，22 欧姆，15V(4)
400V，60A，10 欧姆，15V(1)
360V，70A，2 欧姆，15V(6)
480V，50A，3 欧姆，15V(6)
480V，50A，2 欧姆，15V(1)
600V，20A，28 欧姆，15V(1)
600V，9A，22 欧姆，15V(1)
重新选择
-(6)
300μJ（开），960μJ（关）(5)
2.7mJ(2)
40μJ（开），136μJ（关）(1)
36μJ（开），200μJ（关）(3)
293μJ（关）(1)
363μJ（关）(1)
1.03mJ（开），480μJ（关）(1)
2mJ（开），950μJ（关）(2)
2.61mJ（开），1.85mJ（关）(2)
1.9mJ（开），2mJ（关）(4)
1.4mJ（开），3.5mJ（关）(3)
2.66mJ（开），1.53mJ（关）(1)
1.4mJ（开），1mJ（关）(3)
1.8mJ（开），1.5mJ（关）(1)
530μJ（开），380μJ（关）(1)
重新选择
120A(6)
400A(3)
180A(1)
24A(4)
27A(1)
60A(1)
45A(2)
160A(3)
360A(1)
450A(3)
340A(2)
440A(4)
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-(1)
沟槽型场截止(14)
PT(12)
沟道(9)
NPT，沟槽型场截止(1)
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1.8V @ 15V，60A(3)
2V @ 15V，30A(6)
2.2V @ 15V，20A(1)
2.3V @ 15V，60A(1)
2.2V @ 15V，15A(2)
2V @ 15V，6A(4)
2V @ 15V，40A(3)
1.8V @ 15V，40A(1)
1.75V @ 15V，50A(1)
2.5V @ 15V，50A(1)
2.2V @ 15V，70A(2)
1.82V @ 15V，25A(1)
1.82V @ 15V，20A(1)
1.82V @ 15V，30A(1)
1.75V @ 15V，45A(1)
1.8V @ 15V，70A(4)
1.35V @ 15V，60A(2)
1.45V @ 15V，60A(1)
2.35V @ 15V，9A(1)
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-(1)
31.6ns/115ns(5)
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225nC(4)
120nC(1)
80nC(5)
220nC(2)
230nC(3)
149nC(1)
210nC(1)
85nC(2)
45nC(1)
21.2nC(4)
150nC(2)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
IGBT 650V 30A TO-220AB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
型号：
STGP30M65DF2
仓库库存编号：
497-15841-5-ND
别名：497-15841-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 30A D2PAK
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Surface Mount D2PAK
型号：
STGB30M65DF2
仓库库存编号：
497-15843-1-ND
别名：497-15843-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247
型号：
STGW30M65DF2
仓库库存编号：
497-16485-5-ND
别名：497-16485-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Through Hole TO-220
型号：
STGP6M65DF2
仓库库存编号：
497-16967-ND
别名：497-16967
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
型号：
STGD6M65DF2
仓库库存编号：
497-16966-1-ND
别名：497-16966-1
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 600V 90A 328.9W Through Hole TO-3P
型号：
RJH60F7ADPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60F7ADPK-00#T0-ND
别名：RJH60F7ADPK00T0
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 170A 695W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 170A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK100N60C3H1
仓库库存编号：
IXXK100N60C3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG7PH46UDPBF
仓库库存编号：
IRG7PH46UDPBF-ND
别名：SP001542050
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-3P
型号：
STGWT40HP65FB
仓库库存编号：
497-16972-ND
别名：497-16972
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 650V 30A TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGWA30M65DF2
仓库库存编号：
497-15842-5-ND
别名：497-15842-5
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 600V 80A 260.4W Through Hole TO-3P
型号：
RJH60F5DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60F5DPK-00#T0-ND
别名：RJH60F5DPK00T0
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P
详细描述：IGBT Trench 600V 85A 297.6W Through Hole TO-3P
型号：
RJH60F6DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60F6DPK-00#T0-ND
别名：RJH60F6DPK00T0
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 200A 695W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 200A 695W Through Hole TO-264 (IXXK)
型号：
IXXK100N60B3H1
仓库库存编号：
IXXK100N60B3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 108A COPAK247
详细描述：IGBT Trench 1200V 40A 390W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH46UD-EP
仓库库存编号：
IRG7PH46UD-EP-ND
别名：SP001540700
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX72N60A3H1
仓库库存编号：
IXGX72N60A3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-220FP
型号：
STGF6M65DF2
仓库库存编号：
STGF6M65DF2-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK
详细描述：IGBT Trench Field Stop Surface Mount D2PAK
型号：
STGB6M65DF2
仓库库存编号：
STGB6M65DF2-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
搜索
STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 60A TO220FP
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-220FP
型号：
STGF30M65DF2
仓库库存编号：
STGF30M65DF2-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT TRENCH 650V 60A TO3P
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3P
型号：
STGWT30HP65FB
仓库库存编号：
STGWT30HP65FB-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Global Power Technologies Group
IGBT 600V 120A 347W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-3PN
型号：
GPA060A060MN-FD
仓库库存编号：
1560-1226-5-ND
别名：1560-1226-1
1560-1226-1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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Renesas Electronics America
IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P
详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-3P
型号：
RJH60F0DPK-00#T0
仓库库存编号：
RJH60F0DPK-00#T0-ND
别名：RJH60F0DPK00T0
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX72N60C3H1
仓库库存编号：
IXGX72N60C3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W PLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole PLUS247?-3
型号：
IXGX72N60B3H1
仓库库存编号：
IXGX72N60B3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
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IXYS
IGBT 600V 75A 540W TO264
详细描述：IGBT PT 600V 75A 540W Through Hole TO-264 (IXGK)
型号：
IXGK72N60A3H1
仓库库存编号：
IXGK72N60A3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
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IXYS
IGBT 600V 145A 400W ISOPLUS247
详细描述：IGBT PT 600V 145A 400W Through Hole ISOPLUS247?
型号：
IXXR100N60B3H1
仓库库存编号：
IXXR100N60B3H1-ND
产品分类：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单,规格：反向恢复时间（trr） 140ns,
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