产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Power - Max
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测试条件
开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
25°C 时 Td(开/关)值
栅极电荷
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63(2)
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB(1)
TO-220-3(2)
TO-220-3 整包(1)
TO-247-3(3)
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA(1)
TO-3P-3,SC-65-3(2)
TO-274AA(2)
ISOPLUS220?(1)
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-55°C ~ 150°C(TJ)(3)
-55°C ~ 175°C(TJ)(4)
-40°C ~ 175°C(TJ)(8)
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-(9)
GenX3?,XPT?(1)
TrenchStop?(3)
TrenchStop?(1)
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剪切带(CT) (1)
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D2PAK(1)
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1200V(3)
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200W(1)
350W(2)
63W(1)
260W(3)
250W(3)
37W(1)
306W(2)
282W(1)
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30A(4)
120A(2)
80A(1)
28A(1)
60A(4)
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400V,30A,10 欧姆,15V(4)
400V,60A,6 欧姆,15V(2)
400V,12A,22 欧姆,15V(1)
960V,70A,5 欧姆,15V(2)
600V,15A,10 欧姆,15V(1)
400V,25A,16 欧姆,15V(1)
400V,15A,15 欧姆,15V(3)
400V,15A,20 欧姆,15V(1)
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-(1)
350μJ(开),400μJ(关)(4)
8.8mJ(开),9.4mJ(关)(2)
840μJ(开),220μJ(关)(1)
2.46mJ(开),520μJ(关)(2)
270μJ(开),230μJ(关)(1)
1.2mJ(开),370μJ(关)(1)
150mJ(关)(1)
900μJ(2)
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120A(4)
80A(1)
100A(1)
150A(1)
200A(2)
180A(2)
60A(1)
45A(3)
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-(2)
沟槽型场截止(7)
PT(2)
沟道(4)
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2.4V @ 15V,30A(4)
2.3V @ 15V,60A(2)
2.4V @ 15V,15A(1)
2.7V @ 15V,70A(2)
2.5V @ 15V,15A(1)
1.8V @ 15V,50A(1)
2.1V @ 15V,15A(3)
2.3V @ 15V,12A(1)
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50ns/160ns(4)
46ns/250ns(2)
45ns/417ns(1)
25.6ns/71ns(2)
16ns/183ns(3)
15ns/68ns(1)
64ns/132ns(1)
25ns/70ns(1)
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105nC(4)
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230nC(1)
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 37W TO220FP
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 37W Through Hole TO-220FP
型号:
STGF30H60DF
仓库库存编号:
497-13581-5-ND
别名:497-13581-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 260W TO220
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-220
型号:
STGP30H60DF
仓库库存编号:
497-13583-5-ND
别名:497-13583-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PSH71UDPBF-ND
别名:*IRG4PSH71UDPBF
SP001547822
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 260W TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Through Hole TO-247
型号:
STGW30H60DF
仓库库存编号:
497-13764-5-ND
别名:497-13764-5
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3
详细描述:IGBT Trench 650V 80A 282W Through Hole PG-TO247-3
型号:
IKW50N65WR5XKSA1
仓库库存编号:
IKW50N65WR5XKSA1-ND
别名:SP001215522
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 260W D2PAK
详细描述:IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
型号:
STGB30H60DF
仓库库存编号:
497-15119-1-ND
别名:497-15119-1
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 306W TO-3PN
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA6560WDF
仓库库存编号:
FGA6560WDF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 650V 120A 306W TO3P
详细描述:IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN
型号:
FGA6065ADF
仓库库存编号:
FGA6065ADF-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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IXYS
IGBT 650V 38A 200W TO220
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP15N65C3D1
仓库库存编号:
IXYP15N65C3D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 1200V 15A SOLAR/UPS TO247
详细描述:IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
型号:
NGTB15N120FL2WG
仓库库存编号:
NGTB15N120FL2WG-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD15N60RAATMA1
仓库库存编号:
IKD15N60RAATMA1TR-ND
别名:IKD15N60RA
IKD15N60RA-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 28A 63W ISOPLUS220
详细描述:IGBT PT 600V 28A 63W Through Hole ISOPLUS220?
型号:
IXGC16N60B2D1
仓库库存编号:
IXGC16N60B2D1-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述:IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号:
IRG4PSH71UD
仓库库存编号:
IRG4PSH71UD-ND
别名:*IRG4PSH71UD
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO252-3
详细描述:IGBT Trench 600V 30A 250W Surface Mount PG-TO252-3
型号:
IKD15N60R
仓库库存编号:
IKD15N60R-ND
别名:IKD15N60RBTMA1
SP000539764
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 30A 250W TO251-3
详细描述:IGBT Trench 600V 30A 250W Through Hole PG-TO251-3
型号:
IKU15N60RBKMA1
仓库库存编号:
IKU15N60RBKMA1-ND
别名:IKU15N60R
IKU15N60R-ND
SP000539762
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:反向恢复时间(trr) 110ns,
无铅
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