产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
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晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
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Power - Max
Current - Collector (Ic) (Max)
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开关能量
Current - Collector Pulsed (Icm)
IGBT 类型
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
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栅极电荷
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KDSTRLP
仓库库存编号:
IRG4BC20KDSTRLPCT-ND
别名:IRG4BC20KDSTRLPCT
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20KDPBF
仓库库存编号:
IRG4BC20KDPBF-ND
别名:*IRG4BC20KDPBF
SP001544718
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 11.5A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG4IBC20KDPBF
仓库库存编号:
IRG4IBC20KDPBF-ND
别名:*IRG4IBC20KDPBF
SP001541892
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
无铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W TO220AB
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Through Hole TO-220AB
型号:
IRG4BC20KD
仓库库存编号:
IRG4BC20KD-ND
别名:*IRG4BC20KD
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KD-S
仓库库存编号:
IRG4BC20KD-S-ND
别名:*IRG4BC20KD-S
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
含铅
搜索
Infineon Technologies
IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP
详细描述:IGBT 600V 11.5A 34W Through Hole TO-220AB Full-Pak
型号:
IRG4IBC20KD
仓库库存编号:
IRG4IBC20KD-ND
别名:*IRG4IBC20KD
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 16A 60W D2PAK
详细描述:IGBT 600V 16A 60W Surface Mount D2PAK
型号:
IRG4BC20KD-STRR
仓库库存编号:
IRG4BC20KD-STRR-ND
产品分类:晶体管 - UGBT,MOSFET - 单,规格:25°C 时 Td(开/关)值 54ns/180ns,
含铅
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