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CMLDM8120G TR - 

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

Central Semiconductor Corp CMLDM8120G TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CMLDM8120G TR
仓库库存编号：
CMLDM8120G CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-563
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CMLDM8120G TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-563，SOT-666  
  制造商  Central Semiconductor Corp  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-563  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  8V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  3.56nC(4.5V)  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  150 毫欧 @ 950mA，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.8V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  860mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  200pF @ 16V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  350mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 CMLDM8120(G)
RoHS指令信息 RoHS Declaration of Compliance
标准包装 1
其它名称 CMLDM8120G CT

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CMLDM8120G TR
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MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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CMLDM8120G TR
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MOSFET P-Ch Enh FET 20VDS 8.0VGS

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CMLDM8120G TR PBFREE
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Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R

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型号 制造商 描述 操作
CMLDM8120G TR
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P-Channel Enhancement Mode MOSFET 20V 860mA 6-Pin SOT-563 T/R - Tape and Reel (Alt: CMLDM8120G TR)

RoHS: Not Compliant

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CMLDM8120G TR PBFREE
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CMLDM8120G TR PBFREE
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CMLDM8120G TR PBFREE

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Central Semiconductor Corp - CMLDM8120G TR - MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563		Central Semiconductor Corp
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
详细描述：表面贴装 P 沟道 860mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-563

型号：CMLDM8120G TR
仓库库存编号：CMLDM8120G CT-ND
别名：CMLDM8120G CT <br>

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