DMN5L06DWK-7,Diodes Incorporated,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

DMN5L06DWK-7 - 

MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363

Diodes Incorporated DMN5L06DWK-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DMN5L06DWK-7
仓库库存编号：
DMN5L06DWKDICT-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 250mW Surface Mount SOT-363
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款，请确认好完整型号，我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款，详情请联系我司销售。


数据正在加载中...

DMN5L06DWK-7产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Diodes Incorporated  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-363  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  -  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2 欧姆 @ 50mA，5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  305mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  50pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  50V  
  功率 - 最大值  250mW  
关键词         

产品资料
数据列表 DMN5L06DWK
RoHS指令信息 RoHS Cert of Compliance
标准包装 1
其它名称 DMN5L06DWKDICT

DMN5L06DWK-7您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

DMN5L06DWK-7相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363   制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 制造商 Diodes Incorporated  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Diodes Incorporated   安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Diodes Incorporated 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Diodes Incorporated 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 供应商器件封装 SOT-363  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-363  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SOT-363   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 50mA，5V  Diodes Incorporated 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 50mA，5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 50mA，5V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 2 欧姆 @ 50mA，5V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA  Diodes Incorporated 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  Diodes Incorporated 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 50pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 50V  Diodes Incorporated 漏源电压（Vdss） 50V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 50V   功率 - 最大值 250mW  Diodes Incorporated 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250mW  Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250mW  
参考价格及参考库存
  美国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

MOSFET Dual N-Channel

RoHS: Compliant

搜索
  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: DMN5L06DWK-7)

RoHS: Not Compliant

搜索
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: DMN5L06DWK-7)

RoHS: Compliant

搜索
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

Trans MOSFET N-CH 50V 0.305A 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: DMN5L06DWK-7)

RoHS: Compliant

搜索
  新加坡2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

MOSFET, NN CH, SOT-363

搜索
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

MOSFET, NN CH, SOT-363

搜索
  新加坡1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

Dual N-Channel 50 V 2 O Surface Mount MosFet - SOT-363-6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

搜索
  英国2号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
DMN5L06DWK-7
[更多]		 Diodes Incorporated

MOSFET Dual N-Channel 50V 0.305A SOT363

RoHS: Compliant

搜索
查看资料
  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Diodes Incorporated - DMN5L06DWK-7 - MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363		Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 250mW Surface Mount SOT-363

型号：DMN5L06DWK-7
仓库库存编号：DMN5L06DWKDICT-ND
别名：DMN5L06DWKDICT <br>

无铅		搜索
  www.szcwdz.com    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
DMN5L06DWK-7|Diodes IncDMN5L06DWK-7
Diodes Inc		MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  www.szcwdz.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
DMN5L06DWK-7|Diodes IncDMN5L06DWK-7
Diodes Inc		MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  新加坡2号仓库    查看更多相关产品
制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
DMN5L06DWK-7
DIODES INC. DMN5L06DWK-7		1713850

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V

 (EN)		搜索
DMN5L06DWK-7
DIODES INC. DMN5L06DWK-7		1713850RL

DIODES INC.

双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 305 mA, 50 V, 2 ohm, 5 V, 1 V

 (EN)		搜索
  www.szcwdz.com.cn    查看更多相关产品
参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
DMN5L06DWK-7|Diodes IncDMN5L06DWK-7
Diodes Inc		MOSFET DUAL N-CH 50V SOT-363
Rohs

PDF下载 		查价格库存
查看详细
  英国2号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 PDF 操作

Diodes Inc - DMN5L06DWK-7 - MOSFET Dual N-Channel 50V 0.305A SOT363|70438092 | ChuangWei Electronics		Diodes Inc
MOSFET Dual N-Channel 50V 0.305A SOT363

型号：DMN5L06DWK-7
仓库库存编号：70438092

搜索
  英国10仓库    查看更多相关产品
产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

DiodesZetex - DMN5L06DWK-7 - DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06DWK-7, 300 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号：
DMN5L06DWK-7
品牌：
DiodesZetex
库存编号：
708-2523
搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号
深圳市市场监督管理局企业主体身份公示