MR25H10MDC,Everspin Technologies Inc.,集成电路（IC）,存储器
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MR25H10MDC - 

IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

Everspin Technologies Inc. MR25H10MDC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
MR25H10MDC
仓库库存编号：
819-1047-ND
描述：
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 8-DFN-EP，大型标志（5x6）
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
MR25H10MDC
库存编号:819-1047-ND		 Everspin Technologies IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN1569
1起订		1+
10+
25+
40+
80+
230+
570+
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￥144.89
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MR25H10MDCR
库存编号:MR25H10MDCR-ND		 Everspin Technologies IC RAM 1MBIT SPI 40MHZ 8DFN0
4000起订		4000+
￥110.93
6-10天询价 询价
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
MR25H10MDC
库存编号:936-MR25H10MDC		 Everspin Technologies MRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM1444
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MR25H10MDCR
库存编号:936-MR25H10MDCR		 Everspin Technologies MRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM0
1起订		6-10天询价 询价

MR25H10MDC产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-TDFN 裸露焊盘  
  制造商  Everspin Technologies Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -40°C ~ 125°C（TA）  
  系列  汽车级，AEC-Q100  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  电压 - 电源  2.7 V ~ 3.6 V  
  供应商器件封装  8-DFN-EP，大型标志（5x6）  
  存储容量  1Mb （128K x 8）  
  技术  MRAM（磁阻式 RAM）  
  时钟频率  40MHz  
  存储器类型  非易失  
  访问时间  -  
  写周期时间 - 字，页  -  
  存储器格式  RAM  
  存储器接口  SPI  
关键词         

产品资料
数据列表 MR25H10
标准包装 570
其它名称 819-1047
MR25H10MDC-ND

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IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MR25H10MDCR
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MR25H10MDC
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NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM

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MR25H10MDC
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MR25 Series 1 Mb (128K X 8) 40 MHz 3.3 V Serial SPI MRAM - DFN-8

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无图MR25H10MDC
Everspin Technologies		NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM
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Everspin Technologies		NVRAM 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM
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Everspin Technologies Inc. - MR25H10MDC - IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN		Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 1MBIT 40MHZ 8DFN
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 8-DFN-EP，大型标志（5x6）

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