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FQA10N80C -

MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P

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Fairchild/ON Semiconductor FQA10N80C

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制造商：: Fairchild/ON Semiconductor Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号：: FQA10N80C
仓库库存编号：: FQA10N80C-ND
描述：: MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P
ROHS：: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: 通孔 N 沟道 800V 10A（Tc） 240W（Tc） TO-3P

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FQA10N80C产品属性

产品规格

封装/外壳	TO-3P-3，SC-65-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	QFET?
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	TO-3P
技术	MOSFET（金属氧化物）
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	58nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	1.1 欧姆 @ 5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
FET 类型	N 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	10A（Tc）
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2800pF @ 25V
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250μA
功率耗散（最大值）	240W（Tc）
漏源电压（Vdss）	800V
关键词

产品资料

标准包装	30

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MOSFET, N-CH, 800V, 10A, TO-3PN -3

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FQA10N80C_F109	2453881	ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 800 V, 0.93 ohm, 10 V, 5 V (EN)	搜索

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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA10N80C_F109, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
FQA10N80C_F109
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-4881

邮箱：sales@szcwdz.com
Q Q：800152669
手机网站：m.szcwdz.com

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