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FQA11N90C_F109 - 

MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P

Fairchild/ON Semiconductor FQA11N90C_F109
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQA11N90C_F109
仓库库存编号：
FQA11N90C_F109-ND
描述：
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQA11N90C_F109产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3P-3，SC-65-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3P  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  80nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.1 欧姆 @ 5.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  11A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  3290pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  300W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  900V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQA11N90C_F109
标准包装 30
其它名称 FQA11N90CF109

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FQA11N90C-F109
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FQA11N90C_F109
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQA11N90C_F109		2453882

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 5 V

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Fairchild/ON Semiconductor - FQA11N90C_F109 - MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 300W（Tc） TO-3P

型号：FQA11N90C_F109
仓库库存编号：FQA11N90C_F109-ND
别名：FQA11N90CF109 <br>

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FQA11N90C_F109|FAIRCHILDFQA11N90C_F109
FAIRCHILD		FQA11N90C 系列 900 V 1.1 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3P
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无图FQA11N90C-F109
Fairchild		原厂原装货
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Fairchild Semiconductor - FQA11N90C_F109 - Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
制造商零件编号：
FQA11N90C_F109
品牌：
Fairchild Semiconductor
库存编号：
671-4890
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FQA11N90C_F109|FAIRCHILDFQA11N90C_F109
FAIRCHILD		FQA11N90C 系列 900 V 1.1 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - TO-3P
Rohs

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Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P
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