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FQD10N20CTM - 

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Fairchild/ON Semiconductor FQD10N20CTM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
FQD10N20CTM
仓库库存编号:
FQD10N20CTMCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQD10N20CTM
库存编号:FQD10N20CTMTR-ND
onsemi MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK0
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FQD10N20CTM_F080
库存编号:FQD10N20CTM_F080-ND
onsemi MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK0
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FQD10N20CTM
库存编号:2453893
onsemi , MOSFET, N, 200V, 7.8A, TO-252AA-30
5起订
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10+
100+
¥6.85
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¥4.28
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FQD10N20CTM
库存编号:2453893RL
onsemi , MOSFET, N, 200V, 7.8A, TO-252AA-30
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FQD10N20CTM
库存编号:FQD10N20CTM
onsemi Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 50W, DPAK0
1起订
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25+
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FQD10N20CTM Fairchild Semiconductor Corporation POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7.8A I(D), 200V, 0.36OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA755
1起订
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51+
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¥36.76
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¥36.76
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FQD10N20CTM产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  QFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D-Pak  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  26nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  360 毫欧 @ 3.9A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  7.8A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  510pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  50W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQD/ FQU10N20C
D-PAK Tape and Reel Data
标准包装 1
其它名称 FQD10N20CTMCT

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MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

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MOSFET N-CH/200V/10A/QFET

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MOSFET Trans MOS N-Ch 200V 7.8A 3-Pin 2+Tab

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Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3

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Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3

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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 200V, 5A, 50W, DPAK, QFET?

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Fairchild/ON Semiconductor - FQD10N20CTM - MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak

型号:FQD10N20CTM
仓库库存编号:FQD10N20CTMCT-ND
别名:FQD10N20CTMCT <br>

无铅
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Fairchild/ON Semiconductor - FQD10N20CTM_F080 - MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 7.8A(Tc) 50W(Tc) D-Pak

型号:FQD10N20CTM_F080
仓库库存编号:FQD10N20CTM_F080-ND

无铅
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FQD10N20CTM
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD10N20CTM
2453893

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

(EN)
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FQD10N20CTM
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQD10N20CTM
2453893RL

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

晶体管, MOSFET, N沟道, 7.8 A, 200 V, 0.29 ohm, 10 V, 4 V

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FQD10N20CTM|FAIRCHILDFQD10N20CTM
FAIRCHILD
FQD10N20C 系列 200 V 0.36 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252
Rohs

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FQD10N20CTM_F080|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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FQD10N20CTM_F080|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080
Fairchild Semiconductor
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FAIRCHILD
FQD10N20C 系列 200 V 0.36 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - TO-252
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Fairchild Semiconductor - FQD10N20CTM - Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 FQD10N20CTM, 7.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号:
FQD10N20CTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0936
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FQD10N20CTM|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM
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MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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FQD10N20CTM_F080|Fairchild SemiconductorFQD10N20CTM_F080
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
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