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FQI5N40TU - 

MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FQI5N40TU
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FQI5N40TU
仓库库存编号：
FQI5N40TU-ND
描述：
MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） I2PAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
FQI5N20TU
库存编号:2156-FQI5N20TU-FS-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK4195
888起订		888+
￥4.24
6-10天购买 购买
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  日本2号仓库+5    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
FQI5N20TU
库存编号:87425957		FAIRCHILDFQI5N20TU3000
1086起订		1086+
￥4.64
1-2周购买 购买
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FQI5N20TU
库存编号:87427046		FAIRCHILDFQI5N20TU1195
1086起订		1086+
￥4.64
1-2周购买 购买
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FQI5N40TU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  I2PAK  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  13nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.6 欧姆 @ 2.25A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.5A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  460pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  3.13W（Ta），70W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  400V  
关键词         

产品资料
标准包装 50

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型号 制造商 描述 操作
FQI5N40TU
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MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK

RoHS: Not compliant
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Fairchild/ON Semiconductor - FQI5N40TU - MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），70W（Tc） I2PAK

型号：FQI5N40TU
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无图FQI5N40TU
Fairchild Semiconductor		MOSFET N-CH 400V 4.5A I2PAK
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