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FQPF3N80C - 

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F

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Fairchild/ON Semiconductor FQPF3N80C
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制造商产品编号：
FQPF3N80C
仓库库存编号：
FQPF3N80C-ND
描述：
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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FQPF3N80C产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 整包  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220F  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  16.5nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.8 欧姆 @ 1.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  705pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  39W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  800V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQP3N80C, FQPF3N80C
标准包装 50

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Fairchild/ON Semiconductor - FQPF3N80C - MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F

型号：FQPF3N80C
仓库库存编号：FQPF3N80C-ND

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Fairchild/ON Semiconductor - FQPF3N80CYDTU - MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F		Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3（Y 型）

型号：FQPF3N80CYDTU
仓库库存编号：FQPF3N80CYDTU-ND

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FQPF3N80C
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD FQPF3N80C		1095086

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3 A, 800 V, 4 ohm, 10 V, 5 V

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