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FQU4N25TU - 

MOSFET N-CH 250V 3A IPAK

  • 已过时的产品。
Fairchild/ON Semiconductor FQU4N25TU
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制造商产品编号：
FQU4N25TU
仓库库存编号：
FQU4N25TU-ND
描述：
MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 250V 3A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） I-Pak
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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(工作日)		 操作
FQU4N25TU
库存编号:2156-FQU4N25TU-FS-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET N-CH 250V 3A IPAK3247
606起订		606+
￥6.23
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
FQU4N25TU
库存编号:87430004		 FAIRCHILD FQU4N25TU0
700起订		700+
1000+
￥7.2
￥6.8
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FQU4N25TU产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  QFET?  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  I-Pak  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  5.6nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  1.75 欧姆 @ 1.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  3A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  200pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  2.5W（Ta），37W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  250V  
关键词         

产品资料
数据列表 FQD4N25, FQU4N25
标准包装 70

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FQU4N25TU
[更多]		 ON Semiconductor

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Fairchild/ON Semiconductor - FQU4N25TU - MOSFET N-CH 250V 3A IPAK		Fairchild/ON Semiconductor
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型号：FQU4N25TU
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