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HGTG30N60B3D - 

IGBT 600V 60A 208W TO247

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Fairchild/ON Semiconductor HGTG30N60B3D
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制造商产品编号：
HGTG30N60B3D
仓库库存编号：
HGTG30N60B3D-ND
描述：
IGBT 600V 60A 208W TO247
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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HGTG30N60B3D
库存编号:HGTG30N60B3D-ND		 onsemi IGBT 600V 60A TO-247-30
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(工作日)		 操作
HGTG30N60B3D..
库存编号:1838984		 onsemi , IGBT, N, 600V, 30A, TO-2470
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HGTG30N60B3D_R4731 Harris Semiconductor INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-CHANNEL, TO-2475
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HGTG30N60B3D Fairchild Semiconductor Corporation 60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-2473
1起订		1+
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￥246.87
￥164.58
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HGTG30N60B3D产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Fairchild/ON Semiconductor  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  TO-247  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  55ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  208W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  60A  
  测试条件  480V，30A，3 欧姆，15V  
  开关能量  550μJ（开），680μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  220A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  1.9V @ 15V，30A  
  25°C 时 Td（开/关）值  36ns/137ns  
  栅极电荷  170nC  
关键词         

产品资料
数据列表 HGTG30N60B3D
标准包装 30

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HGTG30N60B3D
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IGBT 600V 60A 208W TO247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

RoHS: Compliant

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HGTG30N60B3D_Q
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IGBT Transistors 600V IGBT UFS N-Channel

RoHS: Not compliant

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Bulk (Alt: HGTG30N60B3D)

RoHS: Compliant

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HGTG30N60B3D
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail - Rail/Tube (Alt: HGTG30N60B3D)

RoHS: Compliant

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HGTG30N60B3D
[更多]		 ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail (Alt: HGTG30N60B3D)

RoHS: Compliant

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HGTG30N60B3D
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PTPIGBT TO247 60A 600V

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PTPIGBT TO247 60A 600V

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HGTG30N60B3D..
[更多]		 ON Semiconductor

IGBT,N CH,600V,30A,TO-247

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HGTG30N60B3D
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HGTG30N60B3D Series 600 V 60 A Flange Mount UFS N-Channel IGBT-TO-247

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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HGTG30N60B3D
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation  

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HGTG30N60B3D
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation

IGBT Housing type: TO-247 Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.1 V Current release time: 200 ns Power dissipation: 208 W

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HGTG30N60B3D
[更多]		 Fairchild Semiconductor Corporation

60 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

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HGTG30N60B3D_R4731
[更多]		 Freescale Semiconductor  

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Fairchild/ON Semiconductor - HGTG30N60B3D - IGBT 600V 60A 208W TO247		Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 208W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 208W Through Hole TO-247

型号：HGTG30N60B3D
仓库库存编号：HGTG30N60B3D-ND

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无图HGTG30N60B3D_Q
Fairchild Semiconductor		IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
Rohs

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HGTG30N60B3D|FAIRCHILDHGTG30N60B3D
FAIRCHILD		HGTG30N60B3D系列 600 V 60 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247
Rohs

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HGTG30N60B3D|FAIRCHILD SEMICONDUCTORHGTG30N60B3D
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR		晶体管 IGBT 208W
Rohs

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HGTG30N60B3D|FAIRCHILDHGTG30N60B3D
FAIRCHILD		HGTG30N60B3D系列 600 V 60 A 法兰安装 UFS N沟道 IGBT-TO-247
Rohs

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无图HGTG30N60B3D...
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR		原厂原装货
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无图HGTG30N60B3D_Q
Fairchild Semiconductor		IGBT 晶体管 600V IGBT UFS N-Channel
Rohs

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参考图片 型号/品牌 描述 / 技术参考 操作
HGTG30N60B3D|Fairchild SemiconductorHGTG30N60B3D
Fairchild Semiconductor		IGBT N-CH UFS 600V 30A TO-247
Rohs

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
HGTG30N60B3D..
ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD HGTG30N60B3D..		1838984

ON SEMICONDUCTOR/FAIRCHILD

单晶体管, IGBT, 60 A, 1.9 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚

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Fairchild - HGTG30N60B3D - IGBT TO-247 600 V 30 A, HGTG30N60B3D, Fairchild		Fairchild
IGBT TO-247 600 V 30 A, HGTG30N60B3D, Fairchild

型号：HGTG30N60B3D
仓库库存编号：171-00-386

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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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