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BFS483H6327XTSA1 - 

TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363

Infineon Technologies BFS483H6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFS483H6327XTSA1
仓库库存编号：
BFS483H6327XTSA1CT-ND
描述：
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BFS483H6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  晶体管类型  2 NPN（双）  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  70 @ 15mA，8V  
  频率 - 跃迁  8GHz  
  功率 - 最大值  450mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  65mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  12V  
  增益  19dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFS483
标准包装 1
其它名称 BFS 483 H6327CT
BFS 483 H6327CT-ND
BFS483H6327XTSA1CT

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TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363

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RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR

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Trans RF BJT NPN 12V 0.065A 450mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

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Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 6-Pin SOT-363 T/R (Alt: BFS483H6327XTSA1)

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Trans GP BJT NPN 12V 0.065A 6-Pin SOT-363 T/R - Tape and Reel (Alt: BFS483H6327XTSA1)

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RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363

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RF TRANSISTOR, NPN, 12V, 8GHZ, SOT363

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BFS483H6327XTSA1
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BFS483 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363-6

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BFS483 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363-6

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BFS483 Series 12 V 65 mA Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor - SOT-363-6

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Infineon Technologies - BFS483H6327XTSA1 - TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363		Infineon Technologies
TRANS RF NPN 12V 65MA SOT363
详细描述：RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT363-6

型号：BFS483H6327XTSA1
仓库库存编号：BFS483H6327XTSA1CT-ND
别名：BFS 483 H6327CT <br>BFS 483 H6327CT-ND <br>BFS483H6327XTSA1CT <br>

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Infineon Technologies		原厂原装货
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BFS483H6327XTSA1
INFINEON BFS483H6327XTSA1		2480691

INFINEON

晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE

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晶体管 双极-射频, 双NPN, 12 V, 8 GHz, 450 mW, 65 mA, 70 hFE

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