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BSL211SPL6327HTSA1 - 

MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BSL211SPL6327HTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BSL211SPL6327HTSA1
仓库库存编号：
BSL211SPL6327HTSA1CT-ND
描述：
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
BSL211SPL6327HTSA1
库存编号:BSL211SPL6327HTSA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-60
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BSL211SPL6327HTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-23-6 细型，TSOT-23-6  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-TSOP6-6  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±12V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  12.4nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  67 毫欧 @ 4.7A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  2.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  4.7A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  654pF @ 15V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.2V @ 25μA  
  功率耗散（最大值）  2W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  20V  
关键词         

产品资料
数据列表 BSL211SP
标准包装 1
其它名称 BSL211SPL6327INCT
BSL211SPL6327INCT-ND

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型号 制造商 描述 操作
BSL211SP L6327
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET P-Ch -20V 4.7A TSOP-6

RoHS: Compliant

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BSL211SPL6327HTSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG  

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Infineon Technologies - BSL211SPL6327HTSA1 - MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.7A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6

型号：BSL211SPL6327HTSA1
仓库库存编号：BSL211SPL6327HTSA1CT-ND
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