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IPB025N10N3 G - 

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Infineon Technologies IPB025N10N3 G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPB025N10N3 G
仓库库存编号：
IPB025N10N3 GCT-ND
描述：
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IPB025N10N3GATMA1
库存编号:IPB025N10N3GATMA1DKR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 180A TO263-74019
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￥33.37
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IPB025N10N3GATMA1
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IPB025N10N3GATMA1
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IPB025N10N3GE8187ATMA1
库存编号:IPB025N10N3GE8187ATMA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 180A TO263-70
1000起订		1000+
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6-10天询价 询价
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(工作日)		 操作
IPB025N10N3GATMA1
库存编号:726-IPB025N10N3GATMA		 Infineon Technologies AG MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 33555
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IPB025N10N3 G
库存编号:726-IPB025N10N3G		 Infineon Technologies AG MOSFETs N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 32028
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(工作日)		 操作
IPB025N10N3GATMA1
库存编号:IPB025N10N3GATMA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors3790
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IPB025N10N3GATMA1
库存编号:IPB025N10N3GATMA1		 Infineon Technologies AG MV POWER MOS - Tape and Reel (Alt: IPB025N10N3GATMA1)15000
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IPB025N10N3GATMA1
库存编号:77833475		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R61000
1000起订		1000+
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IPB025N10N3GATMA1
库存编号:69267343		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R3790
9起订		9+
10+
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100+
500+
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IPB025N10N3GATMA1
库存编号:84741850		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R2000
1000起订		1000+
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￥35.8
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1-2周购买 购买
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IPB025N10N3GATMA1
库存编号:87743337		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R921
3起订		3+
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IPB025N10N3GATMA1
库存编号:2212822		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 100V, 180A, TO263-714453
1起订		1+
10+
100+
500+
1000+
￥77.95
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￥50.1
￥47.29
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1-2周购买 购买
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  英国7号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IPB025N10N3GATMA1
库存编号:IPB025N10N3GATMA1		 Infineon Technologies AG Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 180A, 300W, PG-TO263-7461
1起订		1+
3+
10+
100+
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1050+
￥69.33
￥62.33
￥55.18
￥49.6
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￥44.6
1-3周购买 购买
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  英国8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IPB025N10N3G Infineon Technologies AG 180 A, 100 V, 0.0025 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-263AA11
1起订		1+
2+
5+
￥192.01
￥128.01
￥96.01
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IPB025N10N3 G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO263-7  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  206nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  2.5 毫欧 @ 100A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  180A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  14800pF @ 50V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 275μA  
  功率耗散（最大值）  300W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPB025N10N3 G
标准包装 1
其它名称 IPB025N10N3 GCT

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参考价格及参考库存
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MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N10N3G)

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB025N10N3 G)

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB025N10N3G)

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MV POWER MOS - Tape and Reel (Alt: IPB025N10N3GATMA1)

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MV POWER MOS - Cut TR (SOS) (Alt: IPB025N10N3GATMA1/BKN)

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MV POWER MOS (Alt: IPB025N10N3GATMA1)

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Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) TO-263

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MOSFET, N-CH, 100V, 180A, TO263-7

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Single N-Channel 100 V 2.5 mOhm 155 nC OptiMOS? Power Mosfet - D2PAK-7

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 100V, 180A, 300W, PG-TO263-7

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Infineon Technologies - IPB025N10N3 G - MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7

型号：IPB025N10N3 G
仓库库存编号：IPB025N10N3 GCT-ND
别名：IPB025N10N3 GCT <br>

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IPB025N10N3 G|INFINEONIPB025N10N3 G
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 100V 180A TO263-7
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Infineon Technologies		原厂原装货
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INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 100V 180A TO263-7
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IPB025N10N3GATMA1
INFINEON IPB025N10N3GATMA1		2212822

INFINEON

晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IPB025N10N3 G - Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB025N10N3 G, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 TO-263封装
制造商零件编号：
IPB025N10N3 G
品牌：
Infineon
库存编号：
754-5421
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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