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IPB180N10S403ATMA1 - 

MOSFET N-CH TO263-7

  • 非库存货
Infineon Technologies IPB180N10S403ATMA1
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制造商产品编号：
IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号：
IPB180N10S403ATMA1-ND
描述：
MOSFET N-CH TO263-7
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:448-IPB180N10S403ATMA1TR-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 100V 180A TO263-70
1000起订		1000+
￥30.85
6-10天询价 询价
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:IPB180N10S403ATMA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors1000
1起订		1+
10+
50+
100+
200+
500+
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:75723843		 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q1010
12起订		12+
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￥33.81
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:3958709RL		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 100V, 180A, TO-263932
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:3958709		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 100V, 180A, TO-263932
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(工作日)		 操作
IPB180N10S403ATMA1
库存编号:2583803P		 Infineon Technologies AG INFINEON MOSFET IPB180N10S403ATMA1, RL3000
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:2583803		 Infineon Technologies AG INFINEON MOSFET IPB180N10S403ATMA1, EA3000
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IPB180N10S403ATMA1
库存编号:2583802		 Infineon Technologies AG INFINEON MOSFET IPB180N10S403ATMA1, RL3000
1000起订		1000+
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3000+
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￥67.8
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1-3周购买 购买
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IPB180N10S403ATMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片）  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，OptiMOS?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO263-7-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  140nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.3 毫欧 @ 100A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  180A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  10120pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 180μA  
  功率耗散（最大值）  250W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  100V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPB180N10S4-03
标准包装 1,000
其它名称 SP000915592

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型号 制造商 描述 操作
IPB180N10S403ATMA1
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MOSFET N-CH TO263-7

RoHS: Not compliant
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型号 制造商 描述 操作
IPB180N10S403ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET N-CHANNEL_100+

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  美国3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 操作
IPB180N10S403ATMA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET N-CH 100V 180A 7-Pin TO-263 T/R - Tape and Reel (Alt: IPB180N10S403ATMA1)

RoHS: Compliant
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Infineon Technologies - IPB180N10S403ATMA1 - MOSFET N-CH TO263-7		Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 180A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-7-3

型号：IPB180N10S403ATMA1
仓库库存编号：IPB180N10S403ATMA1-ND
别名：SP000915592 <br>

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