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IPP60R099C6 - 

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220

Infineon Technologies IPP60R099C6
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IPP60R099C6
仓库库存编号：
IPP60R099C6-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPP60R099C6产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO-220-3  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  119nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  99 毫欧 @ 18.1A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  37.9A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2660pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 1.21mA  
  功率耗散（最大值）  278W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx60R099C6
标准包装 500
其它名称 IPP60R099C6XKSA1
SP000687556

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MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220

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MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

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Trans MOSFET N-CH 600V 37.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Single N-Channel 600 V 99 mOhm 119 nC CoolMOS? Power Mosfet - TO-220-3

RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IPP60R099C6XKSA1
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Transistor: N-MOSFET, unipolar, 600V, 37.9A, 278W, PG-TO220-3

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Infineon Technologies - IPP60R099C6 - MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3

型号：IPP60R099C6
仓库库存编号：IPP60R099C6-ND
别名：IPP60R099C6XKSA1 <br>SP000687556 <br>

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IPP60R099C6XKSA1
INFINEON IPP60R099C6XKSA1		2212839

INFINEON

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V

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IPP60R099C6|INFINEONIPP60R099C6
INFINEON		场效应管 MOSFET N沟道 600V 37.9A TO220
Rohs

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无图IPP60R099C6XK
Infineon Technologies		原厂原装货
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