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IRF2907ZPBF - 

MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB

Infineon Technologies IRF2907ZPBF
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF2907ZPBF
仓库库存编号：
IRF2907ZPBF-ND
描述：
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IRF2907ZPBF产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  270nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  4.5 毫欧 @ 75A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  160A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7500pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  300W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  75V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF2907Z (S,L) PbF
设计资源 IRF2907ZLPBF Saber Model
IRF2907ZLPBF Spice Model
标准包装 50
其它名称 *IRF2907ZPBF
SP001571154

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Infineon Technologies - IRF2907ZPBF - MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB		Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB

型号：IRF2907ZPBF
仓库库存编号：IRF2907ZPBF-ND
别名：*IRF2907ZPBF <br>SP001571154 <br>

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IR - IRF2907ZPBF - MOSFET N, 75 V 160 A 300 W TO-220AB, IRF2907ZPBF, IR		IR
MOSFET N, 75 V 160 A 300 W TO-220AB, IRF2907ZPBF, IR

型号：IRF2907ZPBF
仓库库存编号：300-02-236

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Infineon - IRF2907ZPBF - Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZPBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号：
IRF2907ZPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
784-0278
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IRF2907ZPBF
INFINEON IRF2907ZPBF		8657548

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晶体管, MOSFET, N沟道, 170 A, 75 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V

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