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IRF9Z34NL - 

MOSFET P-CH 55V 19A TO-262

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies IRF9Z34NL
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
IRF9Z34NL
仓库库存编号：
IRF9Z34NL-ND
描述：
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF9Z34NL
库存编号:IRF9Z34NL-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A TO2620
5起订		6-10天询价 询价
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IRF9Z34NLPBF
库存编号:IRF9Z34NLPBF-ND		 Infineon Technologies AG MOSFET P-CH 55V 19A TO2620
5起订		6-10天询价 询价
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  日本2号仓库+5    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF9Z34NLPBF
库存编号:85989304		Infineon Technologies AGTrans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube335
321起订		321+
500+
1000+
￥15.7
￥15.03
￥14.2
1-2周购买 购买
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  新加坡3号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IRF9Z34NLPBF
库存编号:2576890		 Infineon Technologies AG , MOSFET, N, 60V, 195A, TO-220AB-30
5起订		5+
25+
100+
250+
500+
1000+
5000+
￥18.7
￥16.99
￥13.08
￥12.34
￥11.61
￥8.07
￥7.82
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IRF9Z34NL产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  HEXFET?  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-262  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  35nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  100 毫欧 @ 10A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  19A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  620pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  3.8W（Ta），68W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 IRF9Z34NS/L
标准包装 50
其它名称 *IRF9Z34NL

IRF9Z34NL相关搜索

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 HEXFET?  Infineon Technologies 系列 HEXFET?  晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 HEXFET?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-262  Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-262  晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262   技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 技术 MOSFET（金属氧化物）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 技术 MOSFET（金属氧化物）   Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies Vgs（最大值） ±20V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 Vgs（最大值） ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 35nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 10A，10V   驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V   FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 类型 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 19A（Tc）   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 620pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），68W（Tc）  Infineon Technologies 功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），68W（Tc）  晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），68W（Tc）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），68W（Tc）   漏源电压（Vdss） 55V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单 漏源电压（Vdss） 55V  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET MOSFT PCh -55V -19A 100mOhm 23.3nC

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans MOSFET P-CH 55V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF.
[更多]		 Infineon Technologies AG

P CHANNEL MOSFET, -55V, 19A, TO-262

搜索
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

MOSFET, P-CH, -55V, -19A, TO-262-3

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型号 制造商 描述 操作
IRF9Z34NLPBF
[更多]		 Infineon Technologies AG

Transistor: P-MOSFET, unipolar, -55V, -19A, 68W, TO262, HEXFET?

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  美国1号仓库    查看更多相关产品
参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Infineon Technologies - IRF9Z34NL - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262

型号：IRF9Z34NL
仓库库存编号：IRF9Z34NL-ND
别名：*IRF9Z34NL <br>

含铅		搜索

Infineon Technologies - IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262		Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
详细描述：通孔 P 沟道 55V 19A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） TO-262

型号：IRF9Z34NLPBF
仓库库存编号：IRF9Z34NLPBF-ND
别名：*IRF9Z34NLPBF <br>SP001570616 <br>

无铅		搜索
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无图IRF9Z34NL
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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IRF9Z34NL|International RectifierIRF9Z34NL
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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IRF9Z34NL|International RectifierIRF9Z34NL
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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IRF9Z34NLPBF|International RectifierIRF9Z34NLPBF
International Rectifier		MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Rohs

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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IRF9Z34NLPBF - Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NLPBF, 14 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
制造商零件编号：
IRF9Z34NLPBF
品牌：
Infineon
库存编号：
907-5056
搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IRF9Z34NLPBF.
INFINEON IRF9Z34NLPBF.		1162958

INFINEON

场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-262

 (EN)		搜索
IRF9Z34NLPBF
INFINEON IRF9Z34NLPBF		2576890

INFINEON

晶体管, MOSFET, P沟道, -19 A, -55 V, 0.1 ohm, -10 V, -4 V

 (EN)		搜索
电话:400-900-3095
QQ:800152669
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