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IXFN55N50F - 

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

IXYS IXFN55N50F
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXFN55N50F
仓库库存编号：
IXFN55N50F-ND
描述：
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
底座安装 N 沟道 55A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFN55N50F
库存编号:IXFN55N50F-ND		 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B0
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IXFN55N50F产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4，miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  HiPerRF??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  195nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  85 毫欧 @ 27.5A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  55A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  6700pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5.5V @ 8mA  
  功率耗散（最大值）  600W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  500V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFN55N50F
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型号 制造商 描述 操作
IXFN55N50F
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXFN55N50F
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET

RoHS: Compliant

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IXFN55N50F
[更多]		 IXYS Corporation

MOSFET, N, RF, SOT-227B

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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
IXFN55N50F
IXYS RF IXFN55N50F		1347748

IXYS RF

晶体管, 射频FET, 500 V, 55 A, 600 W, 500 kHz, SOT-227B

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IXYS - IXFN55N50F - MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B		IXYS
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
详细描述：底座安装 N 沟道 55A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B

型号：IXFN55N50F
仓库库存编号：IXFN55N50F-ND

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IXFN55N50F|IxysIXFN55N50F
Ixys		MOSFET
Rohs

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无图IXFN55N50F
Ixys		MOSFET
Rohs

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IXFN55N50F|IXYS RFIXFN55N50F
IXYS RF		场效应管 MOSFET N RF SOT-227B
Rohs

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