1N4099 (DO35),Microsemi Corporation,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
二极管 - 齐纳 - 单
>
1N4099 (DO35)
1N4099 (DO35) -
DIODE ZENER 6.8V 400MW DO35
如需报价、提交请求,请单击 此处。
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
1N4099 (DO35)
仓库库存编号:
1N4099 (DO35)-ND
描述:
DIODE ZENER 6.8V 400MW DO35
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 6.8V 400mW ±5% Through Hole DO-35
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
网站能显示购买的型号支持直接下单付款,请确认好完整型号,我司会有销售专人审核。也支持线下做合同下单付款,详情请联系我司销售。
数据正在加载中...
美国1号仓库
仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号
制造商
描述
实时库存
起订量
实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
1N4099-(DO35)
Microchip Technology Inc
DIODE ZENER 6.8V 400MW DO204AH
0
起订
6-10天
询价
询价
查看资料
1N4099 (DO35)产品属性
产品规格
封装/外壳
DO-204AH,DO-35,轴向
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-65°C ~ 200°C
系列
-
包装
散装
零件状态
在售
供应商器件封装
DO-35
容差
±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
10μA @ 5.17V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1V @ 200mA
Power - Max
400mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
6.8V
阻抗(最大值)(Zzt)
200 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
1N4614-1~4627-1e3, 1N4099-1~4135-1e3
标准包装
1
1N4099 (DO35)相关搜索
封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
Microsemi Corporation 封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH,DO-35,轴向
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 通孔
Microsemi Corporation 安装类型 通孔
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔
工作温度 -65°C ~ 200°C
Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 200°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 200°C
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
二极管 - 齐纳 - 单 系列 -
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 系列 -
包装 散装
Microsemi Corporation 包装 散装
二极管 - 齐纳 - 单 包装 散装
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 包装 散装
零件状态 在售
Microsemi Corporation 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 DO-35
Microsemi Corporation 供应商器件封装 DO-35
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35
容差 ±5%
Microsemi Corporation 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 5.17V
Microsemi Corporation 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 5.17V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 5.17V
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 10μA @ 5.17V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
Microsemi Corporation 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1V @ 200mA
Power - Max 400mW
Microsemi Corporation Power - Max 400mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 400mW
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 400mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
Microsemi Corporation 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 6.8V
阻抗(最大值)(Zzt) 200 Ohms
Microsemi Corporation 阻抗(最大值)(Zzt) 200 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 200 Ohms
Microsemi Corporation 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 200 Ohms
参考价格及参考库存
美国1号仓库
查看更多相关产品
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microsemi Corporation
DIODE ZENER 6.8V 400MW DO35
详细描述:Zener Diode 6.8V 400mW ±5% Through Hole DO-35
型号:
1N4099 (DO35)
仓库库存编号:
1N4099 (DO35)-ND
含铅
搜索
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号