PMGD400UN,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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PMGD400UN,115 - 

MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. PMGD400UN,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
PMGD400UN,115
仓库库存编号：
568-2368-1-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 710mA 410mW Surface Mount 6-TSSOP
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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PMGD400UN,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP，SC-88，SOT-363  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  TrenchMOS??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  6-TSSOP  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  0.89nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  480 毫欧 @ 200mA，4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  710mA  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  43pF @ 25V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  410mW  
关键词         

产品资料
数据列表 PMGD400UN
标准包装 1
其它名称 568-2368-1

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Trans MOSFET N-CH 30V 0.71A 6-Pin TSSOP T/R

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