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5LP01M-TL-E - 

MOSFET P-CH 50V .07A

  • 已过时的产品。
ON Semiconductor 5LP01M-TL-E
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
5LP01M-TL-E
仓库库存编号：
5LP01M-TL-E-ND
描述：
MOSFET P-CH 50V .07A
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 50V 70mA（Ta） 150mW（Ta） 3-MCP
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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5LP01M-TL-E
库存编号:2156-5LP01M-TL-E-ONTR-ND		 Rochester Electronics LLC MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP54000
3806起订		3806+
￥1
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5LP01M-TL-E
库存编号:5LP01M-TL-E-ND		 onsemi MOSFET P-CH 50V 70MA 3MCP0
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5LP01M-TL-E
库存编号:85955546		 onsemi Trans MOSFET P-CH Si 50V 0.07A 3-Pin SC-70 T/R0
4659起订		4659+
￥1.08
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5LP01M-TL-E
库存编号:85956118		 onsemi Trans MOSFET P-CH Si 50V 0.07A 3-Pin SC-70 T/R0
4659起订		4659+
￥1.08
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5LP01M-TL-E产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70，SOT-323  
  制造商  On Semiconductor  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  3-MCP  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±10V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  1.4nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  23 欧姆 @ 40mA，4V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  1.5V，4V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  70mA（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7.4pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  功率耗散（最大值）  150mW（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  50V  
关键词         

产品资料
数据列表 5LP01M
标准包装 3,000

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MOSFET PCH 1.5V DRIVE SERIES

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ON Semiconductor - 5LP01M-TL-E - MOSFET P-CH 50V .07A		ON Semiconductor
MOSFET P-CH 50V .07A
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型号：5LP01M-TL-E
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