关于我们 | 联系我们

库存查询

• 已过时的产品。

产品规格

封装/外壳	SC-72 成形引线
制造商	Rohm Semiconductor
安装类型	通孔
系列	-
包装	带盒（TB）
零件状态	过期
供应商器件封装	SPT
晶体管类型	PNP - 预偏压
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	100 @ 1mA，5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Power - Max	300mW
电流 - 集电极截止（最大值）	500nA（ICBO）
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	300mV @ 250μA，5mA
频率 - 跃迁	250MHz
电阻器 - 基底（R1）（欧姆）	4.7k
电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆）	-
关键词

产品资料

标准包装	5,000

封装/外壳 SC-72 成形引线  Rohm Semiconductor 封装/外壳 SC-72 成形引线  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-72 成形引线  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 封装/外壳 SC-72 成形引线   制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 制造商 Rohm Semiconductor  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 制造商 Rohm Semiconductor   安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 安装类型 通孔   系列 -  Rohm Semiconductor 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 系列 -   包装 带盒（TB）   Rohm Semiconductor 包装 带盒（TB）   晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带盒（TB）   Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 包装 带盒（TB）    零件状态 过期  Rohm Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 SPT  Rohm Semiconductor 供应商器件封装 SPT  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SPT  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 供应商器件封装 SPT   晶体管类型 PNP - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Rohm Semiconductor 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 100 @ 1mA，5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Rohm Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 300mW  Rohm Semiconductor Power - Max 300mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Power - Max 300mW   电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电流 - 集电极截止（最大值） 500nA（ICBO）   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Rohm Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Rohm Semiconductor 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA   频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 频率 - 跃迁 250MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 频率 - 跃迁 250MHz   电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Rohm Semiconductor 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 基底（R1）（欧姆） 4.7k   电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -  Rohm Semiconductor 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 电阻器 - 发射极基底（R2）（欧姆） -