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STGD6M65DF2 - 

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

STMicroelectronics STGD6M65DF2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STGD6M65DF2
仓库库存编号：
497-16966-1-ND
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STGD6M65DF2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  M  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  140ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  88W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  12A  
  测试条件  400V，6A，22 欧姆，15V  
  开关能量  36μJ（开），200μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  24A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2V @ 15V，6A  
  25°C 时 Td（开/关）值  15ns/90ns  
  栅极电荷  21.2nC  
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产品资料
数据列表 STGD6M65DF2 Datasheet
应用说明 IGBT Datasheet Tutorial
EMC Design Guides for Motor Control Appl
标准包装 1
其它名称 497-16966-1

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参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
STGD6M65DF2
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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

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TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
STGD6M65DF2
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IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
STGD6M65DF2
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型号 制造商 描述 操作
STGD6M65DF2
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Trans IGBT Chip N 650V 12A 3-Pin DPAK T/R (Alt: STGD6M65DF2)

RoHS: Compliant

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Trans IGBT Chip N 650V 12A 3-Pin DPAK T/R - Bulk (Alt: STGD6M65DF2)

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