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STN1NK60Z - 

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

STMicroelectronics STN1NK60Z
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
STN1NK60Z
仓库库存编号：
497-3523-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 300mA（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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STN1NK60Z产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-261-4，TO-261AA  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  SuperMESH??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-223  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  6.9nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  15 欧姆 @ 400mA，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  300mA（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  94pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4.5V @ 50μA  
  功率耗散（最大值）  3.3W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 STx1LNK60Z(-1,AP)
其它有关文件 STN1NK60Z View All Specifications
标准包装 1
其它名称 497-3523-1

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STMicroelectronics - STN1NK60Z - MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223		STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
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STMicroelectronics - STN1NK60Z - STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STN1NK60Z, 300 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
制造商零件编号：
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品牌：
STMicroelectronics
库存编号：
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STN1NK60Z
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 600 V, 15 ohm, 10 V, 3.75 V

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