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STP60N3LH5 - 

MOSFET N-CH 30V 48A TO-220

  • 已过时的产品。
STMicroelectronics STP60N3LH5
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制造商产品编号:
STP60N3LH5
仓库库存编号:
497-10713-5-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 30V 48A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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操作
STP60N3LH5
库存编号:497-10713-5-ND
STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB0
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STP60N3LH5 STMicroelectronics POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 48A I(D), 30V, 0.0114OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-220AB50
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STP60N3LH5产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  STripFET?? V  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-220AB  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  8.8nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  8.4 毫欧 @ 24A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  48A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1350pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  60W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 50
其它名称 497-10713-5

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STMicroelectronics - STP60N3LH5 - MOSFET N-CH 30V 48A TO-220
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MOSFET N-CH 30V 48A TO-220

详细描述:通孔 N 沟道 30V 48A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB

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