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TSM100N06CZ C0G - 

MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC

  • 新产品 
Taiwan Semiconductor Corporation TSM100N06CZ C0G
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制造商产品编号：
TSM100N06CZ C0G
仓库库存编号：
TSM100N06CZ C0G-ND
描述：
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TSM100N06CZ C0G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Taiwan Semiconductor Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  92nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  6.7 毫欧 @ 30A，10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  4382pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  4V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  167W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 TSM100N06CZ
标准包装 50

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TSM100N06CZ C0G
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MOSFET 55V 100Amp N channel Mosfet

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Taiwan Semiconductor Corporation - TSM100N06CZ C0G - MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC		Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） TO-220

型号：TSM100N06CZ C0G
仓库库存编号：TSM100N06CZ C0G-ND

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