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MOSFET N-CH 60V 50A 8SON

Texas Instruments CSD18537NQ5A
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD18537NQ5A
仓库库存编号：
296-36455-1-ND
描述：
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
ROHS：
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-SON（5x6）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD18537NQ5A产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-PowerTDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SON（5x6）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  18nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  13 毫欧 @ 12A、 10V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  6V，10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  11A（Ta），50A（Tc）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1480pF @ 30V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.5V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  3.2W（Ta），75W（Tc）  
  漏源电压（Vdss）  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD18537NQ5A
Motor Drive and Control Solutions
标准包装 1
其它名称 296-36455-1

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Texas Instruments - CSD18537NQ5A - MOSFET N-CH 60V 50A 8SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-SON（5x6）

型号：CSD18537NQ5A
仓库库存编号：296-36455-1-ND
别名：296-36455-1 <br>

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Texas Instruments - CSD18537NQ5AT - MOSFET N-CH 60V 50A 8SON		Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-VSON（5x6）

型号：CSD18537NQ5AT
仓库库存编号：296-37747-1-ND
别名：296-37747-1 <br>

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Texas Instruments		MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
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Texas Instruments - CSD18537NQ5AT - Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18537NQ5AT, 54 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON-FET封装
制造商零件编号：
CSD18537NQ5AT
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
823-9247
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
CSD18537NQ5AT
TEXAS INSTRUMENTS CSD18537NQ5AT		2430170RL

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V

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晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.01 ohm, 10 V, 3 V

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