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CSD22206WT - 

8-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

  • 新产品 
Texas Instruments CSD22206WT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
CSD22206WT
仓库库存编号：
296-47005-1-ND
描述：
8-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta） 9-DSBGA（1.5x1.5）
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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CSD22206WT产品属性


产品规格
  封装/外壳  9-UFBGA，DSBGA  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  NexFET??  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  9-DSBGA（1.5x1.5）  
  技术  MOSFET（金属氧化物）  
  Vgs（最大值）  -6V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  14.6nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  5.7 毫欧 @ 2A，4.5V  
  驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）  2.5V，4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  5A（Ta）  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  2275pF @ 4V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  1.05V @ 250μA  
  功率耗散（最大值）  1.7W（Ta）  
  漏源电压（Vdss）  8V  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD22206W Datasheet
制造商产品页 CSD22206WT Specifications
标准包装 1
其它名称 296-47005-1

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Texas Instruments - CSD22206WT - 8-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF		Texas Instruments
8-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta） 9-DSBGA（1.5x1.5）

型号：CSD22206WT
仓库库存编号：296-47005-1-ND
别名：296-47005-1 <br>

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