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CSD23280F3T - 

MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

Texas Instruments CSD23280F3T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
CSD23280F3T
仓库库存编号:
296-44150-1-ND
描述:
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
CSD23280F3T
库存编号:296-44150-1-ND
Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR9904
1起订
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10+
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CSD23280F3T
库存编号:296-44150-6-ND
Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR9904
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CSD23280F3T
库存编号:296-44150-2-ND
Texas Instruments MOSFET P-CH 12V 1.8A 3PICOSTAR9500
250起订
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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货期
(工作日)
操作
CSD23280F3
库存编号:595-CSD23280F3
Texas Instruments MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD23280F3T11214
1起订
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CSD23280F3T
库存编号:595-CSD23280F3T
Texas Instruments MOSFETs -12-V P channel Nex FET power MOSFET s A 595-CSD23280F33016
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
CSD23280F3T
库存编号:3125068RL
Texas Instruments MOSFET, P-CH, -12V, -1.8A, LGA-30
100起订
100+
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1000+
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¥8.07
¥7.34
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¥5.75
1-2周询价 询价
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CSD23280F3T
库存编号:3125068
Texas Instruments MOSFET, P-CH, -12V, -1.8A, LGA-30
1起订
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100+
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1000+
5000+
¥11.25
¥8.92
¥8.07
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1-2周询价 询价
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  英国7号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
CSD23280F3T
库存编号:CSD23280F3T
Texas Instruments Transistor: P-MOSFET, unipolar, -12V, 2.9A, Idm: 11.4A, 1.4W0
1起订
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¥6.21
1-3周询价 询价
  英国11号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
(含税)
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(工作日)
操作
CSD23280F3T
库存编号:2528490P
Texas Instruments Trans MOSFET P-CH, CSD23280F3T, RL700
50起订
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CSD23280F3T
库存编号:2528490
Texas Instruments Trans MOSFET P-CH, CSD23280F3T, PK700
10起订
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150+
¥8.98
¥8.8
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CSD23280F3T
库存编号:2528489
Texas Instruments Trans MOSFET P-CH, CSD23280F3T, RL700
250起订
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CSD23280F3T产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-XFDFN  
  制造商  Texas Instruments  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  FemtoFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-PICOSTAR  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  -6V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  1.23nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  116 毫欧 @ 400mA,4.5V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  1.5V,4.5V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.8A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  234pF @ 6V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  0.95V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  500mW(Ta)  
  漏源电压(Vdss)  12V  
关键词         

产品资料
数据列表 CSD23280F3 Datasheet
制造商产品页 CSD23280F3T Specifications
标准包装 1
其它名称 296-44150-1

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MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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CSD23280F3
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MOSFET 12V Pch MOSFET

RoHS: Compliant

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MOSFET 12V P ch MOSFET

RoHS: Compliant

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CSD23280F3T
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Texas Instruments

Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PicoStar T/R

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PICOSTAR T/R (Alt: CSD23280F3T)

RoHS: Compliant

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Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PICOSTAR T/R - Tape and Reel (Alt: CSD23280F3T)

RoHS: Not Compliant

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型号 制造商 描述 操作
CSD23280F3T
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Texas Instruments

Trans MOSFET P-CH 12V 1.8A 3-Pin PICOSTAR T/R

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
CSD23280F3T
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Texas Instruments

MOSFET, P-CH, -12V, -1.8A, LGA-3

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Texas Instruments - CSD23280F3T - MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR

详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR

型号:CSD23280F3T
仓库库存编号:296-44150-1-ND
别名:296-44150-1 <br>

无铅
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CSD23280F3T
TEXAS INSTRUMENTS CSD23280F3T
2576799

TEXAS INSTRUMENTS

晶体管, MOSFET, P沟道, -1.8 A, -12 V, 0.097 ohm, -4.5 V, -650 mV

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