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1N4006E-E3/73 - 

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

  • 非库存货
Vishay Semiconductor Diodes Division 1N4006E-E3/73
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1N4006E-E3/73
仓库库存编号：
1N4006E-E3/73-ND
描述：
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
标准 通孔 二极管 1A DO-204AL（DO-41）
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1N4006E-E3-73
库存编号:1N4006E-E3-73-ND		 Vishay Semiconductors DIODE STANDARD 800V 1A DO204AL0
5500起订		6-10天询价 询价
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1N4006E-E3/73
库存编号:625-1N4006E-E3/73		 Vishay Intertechnologies Rectifiers Vr/800V Io/1A0
18000起订		18000+
24000+
￥0.89
￥0.74
6-10天询价 询价
1N4006E-E3/54
库存编号:625-1N4006E-E3/54		 Vishay Intertechnologies Rectifiers Vr/800V Io/1A0
5500起订		5500+
22000+
￥0.88
￥0.88
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1N4006E-E3/73
库存编号:1N4006E-E3/73		 Vishay Intertechnologies 1A,800V,SILASTIC RECT,DO41E - Ammo Pack (Alt: 1N4006E-E3/73)0
22000起订		1-2周询价 询价
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1N4006E-E3/54
库存编号:1N4006E-E3/54		 Vishay Intertechnologies Rectifiers Vr/800V Io/1A0
22000起订		22000+
38500+
99000+
￥1.02
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￥0.98
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1N4006E-E3/73产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-204AL，DO-41，轴向  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  通孔  
  系列  -  
  包装  带盒（TB）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-204AL（DO-41）  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  5μA @ 800V  
  电流 - 平均整流（Io）  1A  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.1V @ 1A  
  工作温度 - 结  -55°C ~ 150°C  
  二极管类型  标准  
  电压 - DC 反向（Vr）（最大值）  800V  
  不同?Vr，F 时的电容  15pF @ 4V，1MHz  
  速度  标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）  
关键词         

产品资料
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标准包装 3,000

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1N4006E-E3/73
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DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

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Rectifiers Vr/800V Io/1A

RoHS: Compliant
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Diode 800V 1A 2-Pin DO-204AL Ammo - Ammo Pack (Alt: 1N4006E-E3/73)

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